曹素
,
刘永胜
,
左新章
,
张立同
,
成来飞
复合材料学报
以2D C/SiC复合材料为基底,采用聚合物裂解工艺(Polymer plyen)制备了含硼硅玻璃SiC自愈合涂层.利用扫描电镜对含硼硅玻璃SiC涂层的2D C/SiC复合材料氧化前后的微结构形貌进行了分析.研究了含硼硅玻璃SiC涂层的C/SiC复合材料在静态空气中700℃、1000℃和1200℃下的氧化行为,并分析了涂层层数对C/SiC复合材料氧化行为的影响.结果表明:含硼硅玻璃SiC涂层在该温度下形成的玻璃相可以较好地封填表面缺陷(裂纹和孔洞);并且随温度升高及涂层层数增加,试样在氧化过程中质量减少率降低,氧化后的强度保持率提高.
关键词:
2D C/SiC复合材料
,
硼硅玻璃
,
自愈合涂层
,
氧化
,
形貌
,
质量变化
,
残余强度
秦会峰
,
孟庆森
,
宋永刚
,
胡利方
,
张惠轩
功能材料
对硼硅玻璃与硅进行了阳极键合实验,通过扫描电镜对键合界面的微观结构进行分析表明:玻璃/硅的键合界面有明显的中间过渡层生成;分析认为电场力作用下玻璃耗尽层中的氧负离子向界面迁移扩散并与硅发生氧化反应是形成中间过渡层的主要原因,而界面过渡层的形成是硅/玻璃界面键合实现永久连接的直接原因.
关键词:
阳极键合
,
硼硅玻璃
,
硅
,
过渡区
雷鸣
,
成鹏飞
,
李盛涛
功能材料
研究了不同硼硅玻璃配方及相关工艺对低温烧结(1000和1050℃下烧结)ZnO玻璃系压敏陶瓷致密化过程和电气性能的影响.发现含较多PbO和少量ZnO的G1玻璃具有较合适的软化点温度和较好的晶粒润湿性,对应试样的电气性能最好:坯体初始密度、保温时间、降温速率和烧结气氛都显著影响着试样的烧结性能和电气性能.
关键词:
ZnO压敏陶瓷
,
硼硅玻璃
,
致密化
,
电气性能
宋永刚
,
秦会峰
,
胡利方
,
鲁晓莹
,
孟庆森
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2006.04.002
硼硅玻璃与硅进行阳极键合试验,通过扫描电镜及能谱分析对键合界面的微观结构进行分析,结果表明:玻璃/硅的键合界面有明显的中间过渡层生成;在电场力作用下玻璃耗尽层中的氧负离子向界面迁移扩散并与硅发生氧化反应是形成中间过渡层的主要原因,界面过渡层的形成是玻璃/硅界面键合实现连接的基本条件.
关键词:
阳极键合
,
硼硅玻璃
,
硅
,
过渡区
王艳辉
,
王明智
,
温熙宇
材料研究学报
用DTA、XRD、SEM、EPMA等研究了Nb镀层与c-BN晶体在60-1000℃范围的界面反应过程、界面成分和结构特征,讨论了烧结时Nb镀层与SiO2—Na2O-B2O3玻化结合剂的作用.结果表明:Nb镀层与c—BN晶体在600℃以上发生界面反应,外延生长形成NbN,800℃以上形成NbB2,它们使Nb镀层与c-BN牢固结合并阻止结合剂中的磁性组分对c-BN的侵蚀,镀Nb的c-BN表层的Nb则作为活性金属实现与玻化结合剂的化学健合.
关键词:
Nb镀层
,
null
,
null
,
null
