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涂硼GEM中子束流监测器物理过程的蒙特卡罗模拟

王拓 , 周健荣 , 孙志嘉 , 吴冲 , 王艳凤 , 杨桂安 , 陈元柏

原子核物理评论 doi:10.11804/NuclPhysRev.31.01.069

基于硼转换的GEM (Gas Electron Multiplier)探测器性能突出,计数率高达10 MHz以上,耐辐射,信号读出方式简单、灵活,位置与时间分辨率高,是下一代中子束流监测器极具优势的候选者。这种新型中子束流监测器主要由硼中子转换层、气体电离粒子放大的GEM以及二维读出电极组成。通过Geant4程序包对探测器物理过程进行蒙特卡罗(Monte Carlo)模拟,主要研究了硼中子转换层转换效率与厚度及中子波长的关系、出射粒子的能谱、不同气体比分不同气体厚度中的能量沉积、以及γ的能量沉积,计算比较了不同厚度GEM膜对快中子产生的影响。模拟结果表明,出射粒子在漂移区的能量沉积几乎与气体比分无关,硼层厚度取0.1μm以下,漂移区厚度6 mm时,可以确保出射粒子在漂移区能量完全沉积,同时具有最佳n/γ区分能力。

关键词: 中子束流监测器 , GEM , 硼转换 , Geant4

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