孙叶
,
孙晓燕
,
介万奇
,
王涛
,
罗林
,
傅莉
人工晶体学报
通过X射线粉末衍射方法对大气环境下25～100℃条件下的碲铟隶晶体结构进行了研究.借助Rietveld方法,利用GSAS软件对碲铟汞晶体结构进行精修,并计算了其Hg空位浓度.结果表明,室温下碲铟汞晶体中由于Hg元素较易挥发而引入的Hg空位约占1.88%,品格常数约为0.63163 nm;随着温度的升...
关键词:
碲铟汞
,
空位
,
晶格常数
,
Rietveld方法
董阳春
,
王领航
,
介万奇
人工晶体学报
研究了HgInTe的腐蚀工艺,探索出一种适合于HgInTe的腐蚀液,并对腐蚀原理做了分析.利用该腐蚀液对HgInTe晶体内部的缺陷种类和分布进行了研究.结果表明,垂直轴向切割的HgInTe晶片腐蚀后的位错蚀坑呈近等腰三角形.在本实验条件下,位错蚀坑密度EPD(etch-pit density)约在1...
关键词:
碲铟汞
,
缺陷
,
腐蚀坑
,
半导体材料
王领航
,
介万奇
材料科学与工艺
以高纯Hg、In、Te单质为原料,通过元素直接化合反应合成了碲铟汞(MIT)多晶料,并利用合成的高纯多晶料,在特殊设计的坩埚中,采用垂直Bridgman法通过自发成核方式成功地生长了尺寸为Φ15 mm×175 mm的MIT单晶体.利用X射线粉末衍射技术对MIT晶体结构及物相进行的分析表明,所获得的晶...
关键词:
碲铟汞
,
晶体生长
,
垂直Bridgman法
,
半导体材料
,
近红外光电探测器
王领航
,
介万奇
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2009.01.027
以高纯Hg,In,Te单质为原料,通过元素直接化合反应合成了碲铟汞(MIT)多晶料,并利用合成的高纯多晶料,在特殊设计的坩埚中,采用垂直Bridgman法通过自发成核方式成功地生长了尺寸为Φ 15 mm×175 mm的MIT单晶体.利用X射线粉末衍射技术对MIT晶体结构及物相进行了分析,结果表明,所...
关键词:
碲铟汞
,
晶体生长
,
垂直Bridgman法
,
半导体材料
,
近红外光电探测器
罗林
,
介万奇
,
孙叶
,
王涛
,
傅莉
功能材料
通过扫描电镜、扫描探针显微镜和电子背散射衍射仪对改进的Chen法腐蚀液在Hg3In2Te6(111)晶片上形成的腐蚀坑进行了研究.实验发现,腐蚀坑形貌主要有线形、梭形、枣形3种,且后两者的沟槽在(111)面的投影只有3种取向,并互成120°夹角.进一步分析的结果表明,上述蚀坑的形成可由螺位错双交滑移...
关键词:
碲铟汞
,
腐蚀坑
,
位错
,
电子背散射衍射
,
双交滑移
