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中波碲镉汞边缘接触不对称MIS结构的低频噪声

张燕 , 方家熊

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.03.025

对两种不同结构的中波碲镉汞光导红外探测器件的噪声进行了测量,发现叠层结构器件的低频噪声比具有简单结构器件的大.针对叠层结构,提出了用来分析噪声的边缘接触不对称MIS结构模型.分析表明,叠层电极下的碲镉汞表面在偏置电压作用下,容易出现耗尽层是低频噪声增加的主要原因.

关键词: 碲镉汞 , 探测器 , 叠层结构 , 低频噪声

国外红外探测器材料技术新进展

郭瑞萍 , 李静 , 孙葆森

兵器材料科学与工程 doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2009.03.029

红外探测器材料是光电子材料的重要一类,近十几年来受到国内外学者的广泛关注和研究.综述美、法等国有关碲镉汞、量子阱制冷型红外探测器材料以及非晶硅、VOx、氧化物品体、热释电陶瓷等非制冷红外探测器材料的研究现状.对它们各自的特点及发展作了较为详细的评述.可以预测,多色、大规格、异质外延碲镉汞薄膜材料和低成本、高灵敏度非制冷材料是红外探测器材料技术的主要发展方向.

关键词: 碲镉汞 , 量子阱 , 综述 , 非制冷 , 红外探测器材料

中波红外焦平面列阵探测器γ辐照效应

廖毅 , 王建新 , 张勤耀

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2007.01.022

报道了γ射线辐照对薄膜材料碲镉汞(Hg1-xCdxTe)制备的中波红外焦平面列阵探测器性能的影响.γ射线辐照的剂量依次为3×106 rad、9×106rad、2×107 rad.测量了器件在辐照前及各个剂量辐照后的I-V特性、黑体响应、噪声等性能参数.通过分析实验数据,发现器件的暗电流,噪声随辐照剂量的增加而增大,黑体响应随辐照剂量的增大而减小.其中I-V特性受辐照影响最大,黑体响应和噪声对辐照不是很敏感.这些表明随着辐照剂量的增加,器件的性能逐步衰退.

关键词: 光电子学 , 红外焦平面探测器 , 辐照效应 , γ射线辐照 , 碲镉汞

Hg1－xCdxSe红外薄膜材料研究进展

郭治平 , 刘翔 , 潘顺臣 , 吴长树 , 陈清明 , 段云彪

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.013.006

硒镉汞（Hg1－xCdxSe）作为碲镉汞（Hg1－xCdxTe）的红外替代材料受到广泛关注，它具有位错密度低、热膨胀系数小、晶格失配小等优势，可望获得高质量、大面积、廉价长波红外（Long-wavelength infrared，LWIR）焦平面阵列（Focal plane arrays，FPAs）。综述了Hg1－xCdxSe材料的最新研究进展，讨论了Hg1－xCdxSe薄膜材料在不同衬底和不同生长条件下对薄膜质量的影响及最新研究结果；同时，对Hg1－xCdxSe材料的研究进行了展望。

关键词: 硒镉汞 , 碲镉汞 , 长波红外 , 焦平面阵列

碲镉汞晶体组分及其均匀性控制研究

刘克岳 , 王金义 , 吴人齐

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2001.04.012

本文利用碲镉汞膺二元固液T-X相图对碲镉汞晶体生长方法进行了分类研究;分析了影响碲镉汞晶体组分及其均匀性的因素,提出了存在的问题和改善的措施;认为在特定组分的固相线温度(相图中的B点)生长碲镉汞晶体是一种比较有效的方法,并报道了采用双相复合维持液相成份生长大直径40mm碲镉汞晶体组分控制研究的结果(在S≈12cm2的晶片面积上,x＝0.218±0.003).

关键词: 碲镉汞 , 组分 , 均匀性

激光能量对碲镉汞注入样品退火效果的影响

张燕 , 李向阳 , 方家熊

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.036

利用脉冲YAG激光器对砷注入长波碲镉汞样品进行激光退火,分析不同能量密度的激光光束退火所引起的样品表面电学性质的变化.实验表明,激光能量密度越大,激光退火的效果越明显.我们认为要达到理想退火效果,样品表面一薄层需处于近熔化状态,以得到晶格结构的重新组织.

关键词: 碲镉汞 , 激光退火 , 迁移率谱

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