杜军
,
张平
,
何家文
稀有金属材料与工程
用磁控溅射方法制备了含Ti 4at%,18at%,27at%的非晶碳膜.用XPS分析了含Ti 18at%碳膜的碳键结构、化合物组成.结果发现:碳膜的C1s峰在284 eV附近,碳膜中sp2:sp3=14.6:6.3,sp2占明显优势,碳键结构以sp2为主;Ti2p谱的455.2 eV处的峰对应TiC,说明形成了TiC.用XRD对含Ti 4at%,18at%.27at%碳膜进行物相分析.结果发现:含Ti 18at%和27at%时,都存在TIC(111),TiC(200)和TiC(220)晶向,但27at%的Ti(111)取向更加明显;4at%时,没有发现TiC相.TEM的分析结果证明,含Ti 18at%的碳膜在非晶的基体上分布有TiC的颗粒.四点探针法(FPM)测定3种非晶碳膜的电阻率分布在9X 10-5～2X 10-4Ω.m之间,随着Ti含量的增加,电阻率减小.可以认定:磁控溅射制备的碳膜是碳键结构以sp2为主的非晶碳膜,加入一定量Ti后,在非晶的基体上形成Ti化合物的晶体颗粒.
关键词:
碳膜
,
碳键结构
,
微观结构
,
非晶
万军
,
马志斌
材料导报
评述了液相沉积(类)金刚石薄膜的研究现状,介绍了液相合成(类)金刚石薄膜的装置、液态源及薄膜的性能,分析了如何更好地提高(类)金刚石薄膜质量,并在此基础上提出了一种可能制备出高质量金刚石薄膜的脉冲电弧放电沉积装置.
关键词:
液相沉积
,
金刚石
,
碳膜
,
脉冲电弧放电
陈勇
,
吴龙
,
甘思文
,
朱瑾瑜
,
沈逸
,
陈安琪
黄金
doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2009.03.002
通过采用不同类型的无机多孔膜作为模板以及恒电位模板电沉积法在一层厚度为300nm的碳膜上制备出一维金亚微米棒、纳米线及其阵列,并利用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、能量分散谱(EDS)表征了该一维金亚微米棒、纳米线阵列的化学组成、结构和形貌.研究结果表明,采用多孔三氧化二铝膜作为模板,可以得到长度为5μm的一维金亚微米棒(直径200nm)阵列;采用无机复合介孔膜为模板,则得到一维金纳米线(3～4nm)阵列,并通过控制沉积时间,可以调节纳米线的长度(400nm～3μm).
关键词:
金
,
模板
,
电沉积
,
碳膜
,
纳米线
沈涛
,
刘俊成
,
翟慎秋
,
张国栋
人工晶体学报
运用正交设计,对CdZnTe晶体生长用高纯石英坩埚内壁镀膜过程中的镀膜温度、镀膜时间、气体流量、冷却时间四个因素进行了研究和优化.用金相显微镜,扫描电镜观察分析了不同镀膜工艺条件下得到的碳膜表面形貌,用WS-2005自动划痕仪对碳膜与石英管壁之间的结合力进行了测试.实验结果表明,镀膜温度对碳膜质量影响最为显著,其次是镀膜时间,再次为冷却时间,而气体流量对碳膜质量的影响甚小.镀膜工艺的优化参数:镀膜温度为1010 ℃,气体流量为6 L/h,镀膜时间为4 h,冷却时间为18 h.该工艺参数得到的碳膜较为均匀,且与石英管壁结合强度高.
关键词:
正交设计
,
碳膜
,
CdZnTe
,
晶体生长
顾广瑞
,
吴宝嘉
,
金逢锡
,
金哲
,
李哲奎
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.05.008
利用石英管型微波等离子体化学气相沉积装置,在Si基板上制备了具有纳米针状结构的碳膜.场发射特性测试表明,纳米针状结构碳膜具有良好的场发射特性,阈值电场为2.2 V/μm,外加电场为9 V/μm时,电流密度达到65 mA/cm2.利用统计效应修改了Fowler-Nordheim (F-N) 模型,成功地解释了在低电场区域的场发射机理.但是利用修改的F-N模型,不能解释高电场区域的电流密度的饱和现象,这将有待于进一步研究.
关键词:
场发射
,
碳膜
,
纳米针
,
微波等离子体化学气相沉积
Jun DU
,
Ping ZHANG
材料科学技术（英文）
Ti-containing carbon films were deposited by using magnetron sputtering deposition. The composition and microstructure of the carbon films were characterized in detail by combining the techniques of Rutherford backscattering spectrometry (RBS), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), X-ray diffraction (XRD) and transmission electron microscopy (TEM). It is found that carbon films contain Ti 18 at pct; after Ti incorporation, the films consist of titanium carbide; C1s peak appears at 283.4 eV and it could be divided into 283.29 and 284.55 eV, representing sp2 and sp3, respectively, and sp2 is superior to sp3. This Ti-containing film with dominating sp2 bonds is nanocomposites with nanocrystalline TiC clusters embedded in an amorphous carbon matrix, which could be proved by XRD and TEM.
关键词:
magnetic sputter deposition
,
磁控溅射
,
碳膜
章晓中
,
薛庆忠
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2006.04.001
利用激光脉冲沉积(PLD)方法制备了沉积于硅基片上的掺杂过渡金属的非晶碳膜结构Fex-C1-x/Si.Fex-C1-x/Si的磁电阻(MR)可正可负,随温度而变化.当温度T＜258 K时,Fe0.011-C0.989/Si的MR为负值;当258 K＜T＜340 K时,该材料的MR为正值,在室温磁场为1 T时,该材料的正MR可以大于20%.且在不同的温度范围中,该材料的MR和外加磁场的依存关系呈现出不同的特点:在T=280和300 K时,当磁场小于1 T时,MR随磁场的增加而快速增加,之后随磁场的继续增加MR增加开始变得缓慢;在T=350 K时,MR近似以磁场的B1.5的规律变化;而在T=30 K时,MR为负值且其大小随磁场的增加而减小.利用双通道模型对该MR效应进行了初步解释.
关键词:
磁电阻
,
碳膜
,
硅
