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巨磁阻抗效应的非对称特性

巨磁阻抗效应的应用需要传感器具有好的线性度和高的灵敏度,实现非对称巨磁阻抗效应可以使传感器在零场附近提高灵敏度和改善线性度.本文对近年来非对称巨磁阻抗效应的研究进展进行了综述,并分析了其产生的机理.

巨磁阻抗传感器敏感材料的选择

利用巨磁阻抗(GMI)效应来研制传感器,敏感材料的选择非常关键,其GMI性能的好坏直接决定了GMI磁传感器的灵敏度水平.讨论了GMI材料的选择标准,列出了能够产生GMI效应的各种材料,并分析和评述了这些GMI材料的软磁特性、GMI效应及其在传感器上的可能应用,提供了设计高性能GMI传感器的候选材料,这些材料以及新型材料的开发为GMl传感器的研制创造了有利的条件,将会促进GMI传感器的发展与应用.

关键词: 巨磁阻抗(GMI) , 敏感材料 , 磁传感器 , GMI比率 , 磁场灵敏度

微型磁通门式磁敏感器(MEMSMag)

杨建中 , 尤政 , 刘刚 , 康春磊 , 田扬超

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.02.007

基于MEMS技术的微型磁通门式磁敏感器是磁场测量技术和微机电系统(MEMS)技术交叉研究领域的一个热点,在航空航天领域特别是在纳型/皮型卫星技术中有着重要的应用.本文介绍了该类磁敏感器所运用的磁通门效应的原理.从磁芯、线圈和整体结构布局等方面分析了现有的各种微型磁通门式磁敏感器的结构特征.并依据磁通门原理和各种微型磁通门式磁敏感器的结构特点,设计了一种两轴微型磁通门式磁敏感器.这种新型的磁敏感器具有对称结构、闭合磁路、差动形式、柔性连接等显著特点.

关键词: 微机电系统(MEMS) , 磁通门 , 磁传感器 , 传感器设计

GaAs霍尔开关集成电路的研制

胡少坚 , 夏冠群 , 冯明 , 詹琰 , 陈新宇 , 蒋幼泉 , 李拂晓

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.01.010

成功地设计并制造出 GaAs MESFET霍尔开关集成电路.该电路采用了方形霍尔元件,绝对灵敏度为 704mV/T;信号处理电路由差分放大电路和触发电路组成,触发电路结构类似于 SCFL 的 D触发器.结果表明,开关性能良好,工作点合理,达到设计要求.实验结果还表明,霍尔元件和放大电路可构成灵敏度很高的霍尔线性集成电路.

关键词: 霍尔效应 , 磁传感器 , 开关 , GaAs , 集成电路

钴基软磁非晶合金的巨磁阻抗效应研究进展

王星 , 杨元政 , 龙红军 , 谢致薇

材料导报

介绍了钴基软磁非晶合金丝与薄带的制备方法,重点讨论了频率、磁各向异性等因素对巨磁阻抗效应的影响.对非晶合金的巨磁阻抗效应传感器的应用进行了展望.

关键词: 钴基非晶合金 , 巨磁阻抗效应 , 磁传感器

非晶态磁敏传感器的设计

刘斌 , 李光亮 , 黄锐 , 张洛

金属功能材料 doi:10.3969/j.issn.1005-8192.2001.01.008

本文以非晶态软磁合金作为敏感材料为对象，论述了脉冲感应型非晶态磁场传感器的研制。这种磁场传感器的工作原理建立在经典的电磁感应理论和非晶态软磁合金材料的线性磁化特性的基础之上。脉冲感应型非晶态磁场传感器具有灵敏度高、稳定性好、对使用环境要求低等特点。适用于检测各种微弱磁场，并能成为发展其他高级传感器的基础。

关键词: 非晶态合金 , 磁化曲线 , 磁传感器