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半导体自旋电子学的研究与应用进展

徐明

材料导报

简单介绍了半导体自旋电子学的研究对象和内容,主要包括磁性半导体、磁性/半导体复合结构、非磁性半导体量子阱和纳米结构中的自旋现象,以及半导体的自旋注入等.综述了半导体自旋电子学目前的研究进展及其在自旋电子器件和量子信息处理中的应用.

关键词: 半导体自旋电子学 , 磁性半导体 , 自旋注入 , 量子计算机

2003~2004年磁性功能材料研究新进展

李国栋

功能材料

本综述论文开始写于1994年,其后每年撰写.今年综述内容包含:(1) 铁磁形状记忆智能材料;(2) 磁性半导体;(3) NdFeB永磁材料;(4) 微波吸收用的磁性材料;(5) 磁记录介质材料.

关键词: 磁智能材料 , 磁性半导体 , 永磁材料 , 微波磁性材料 , 磁记录材料

低能离子束方法制备磁性Fe-Si合金薄膜

刘力锋 , 陈诺夫 , 张富强 , 陈晨龙 , 李艳丽 , 杨少延 , 刘志凯

功能材料

利用质量分离的低能离子束技术,获得了磁性Fe-Si合金薄膜.利用俄歇电子能谱法(AES)、X射线衍射法(XRD)以及交变梯度样品磁强计(AGM)测试了样品的组分、结构以及磁特性.测试结果表明在室温下制备的Fe-Si合金是Fe组分渐变的非晶薄膜,具有室温铁磁性.当衬底温度为300℃时制备的非晶Fe-Si薄膜中有Fe硅化物FeSi相产生,样品的铁磁性被抑制.

关键词: 低能离子束 , , 铁磁性 , 磁性半导体

离子注入制备GaAs:Mn薄膜的性质研究

宋书林 , 陈诺夫 , 尹志岗 , 柴春林 , 杨少延 , 刘志凯

功能材料

采用高能离子注入的方式,在半绝缘性的GaAs衬底中掺杂引入Mn离子制备了磁性半导体.借助于X-射线衍射仪(XRD)进行了结构分析,没有发现新的衍射峰,并运用高分辨率X射线衍射仪(HR-XRD)分析了Mn离子注入后衬底(004)峰的微小变化.根据原子力显微镜的结果发现,注入后的样品表面没有发生明显的变化.通过使用超导量子干涉仪SQUID进行变温分析,在所分析范围内M-T曲线存在拐点,但其所对应的铁磁性转变温度低于室温.

关键词: 半绝缘性砷化镓 , 磁性半导体 , 铁磁性转变温度

室温铁磁性GaN:Cr薄膜的性质研究

刘志凯 , 宋书林 , 陈诺夫 , 尹志岗 , 柴春林 , 杨少延

功能材料

采用高能离子注入的方式,在GaN衬底中掺杂引入Cr离子制备了磁性半导体.借助于X射线衍射仪(XRD)进行了注入前后结构的对比分析,没有发现新的衍射峰,并运用高分辨率X射线衍射仪(HR-XRD)分析了Mn离子注入后衬底(0002)峰的微小变化.根据原子力显微镜的结果,发现注入后的样品表面起伏比较大,发生明显的变化.通过使用超导量子干涉仪SQUID进行变温分析,在所分析的10~300K范围内,磁化强度变化幅度较小,样品在室温条件下仍然保持铁磁性.

关键词: 氮化镓 , 磁性半导体 , 铁磁性转变温度

掺铁氧化锌室温磁性半导体

文剑锋 , 刘兴种 , 曾毅 , 高俊 , 张凤鸣 , 都有为

功能材料

采用溶胶-凝胶法制备了Zn0.98Fe0.02O块材样品,利用XRD检测了样品的结构.结果表明样品具有ZnO的六角结构,并且只有ZnO的衍射峰出现,没有Fe或Fe的化合物等杂相存在,说明样品只包含单相ZnO.结果还进一步说明掺杂的部分Fe替代了部分Zn的位置.利用VSM所作的分析测量表明,样品是铁磁性的,且居里温度高于室温.

关键词: 溶胶-凝胶法 , 氧化锌 , 磁性半导体

RSn3-xCox(R=Nd,Sm)系列化合物的结构及磁性能研究

薛智琴 , 郭永权 , 梅简

材料导报

系统地研究了新型稀土-半导体-磁性金属所组成的RSn3-xCox(R=Nd,Sm; x=0~0.3)系列的制备、晶体结构以及磁性.研究表明:RSn3-xCox具有AuCu3型立方结构,空间群Pm3m,稀土原子占据la晶位,Sn占据3c晶位,Co部分替代Sn占据3c晶位.点阵常数与晶胞体积常数随Co掺杂量的增加而减小.其磁性变化与Co含量密切相关,随着Co含量的增加,稀土半导体化合物中产生铁磁性相,在Sm-Sn-Co体系中SmSn2.8 Co0.2呈现混合磁性、SmSn2.7Co0.3呈现铁磁性,这有别于纯RSn3系列的磁性(低温反铁磁型和室温的顺磁性),为这类稀土半导体化合物作为新型磁电子材料的潜在应用提供了可能性.

关键词: 磁性半导体 , RSn3-xCox化合物 , 磁性

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