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(Ga,Mn) As磁电输运性质的研究进展

罗佳 , 向钢

材料导报

综述了Ⅲ-V族稀磁半导体(Ga,Mn) As磁电性质的研究进展,尤其是(Ga,Mn)As单层膜和多层膜结构的磁电输运性质的详细研究状况.关于(Ga,Mn) As的结构与物理性质的信息可由单层膜的反常霍尔效应、平面霍尔效应、电阻对温度的依赖关系与磁阻各向异性等磁电输运性质测量得到;而多层膜中观察到的自旋阀效应、自旋相关散射与层间交互耦合等现象,对加深稀磁半导体的基本物性认识、拓展稀磁半导体的实际应用空间非常重要.最后总结并展望了(Ga,Mn) As未来的发展趋势.

关键词: (Ga,Mn) As , 磁电输运性质 , 反常霍尔效应 , 自旋阀效应 , 平面霍尔效应

激光能量对反钙钛矿GaCMn3薄膜结构与物性的影响

钱文超 , 高关胤 , 吴文彬 , 杨骋 , 童鹏 , 孙玉平

低温物理学报

本文采用脉冲激光沉积方法在LaAlO3 (001)单晶衬底上制备了反钙钛矿GaCMr3薄膜,通过控制制备过程中脉冲激光的能量,研究了不同激光能量条件对GaCMn3薄膜结构与物理性能的影响.分别利用X射线衍射仪、原子力显微镜、超导量子干涉仪和物理性能测试系统,对所制备的薄膜的晶体结构、表面形貌和磁性、电输运性质进行了研究.结果表明,制备的样品均为具有多个晶面取向的反钙钛矿薄膜,且薄膜结构和物性明显随制备激光能量的变化而变化.当激光能量为450 mJ时,制备的薄膜多晶面取向性最弱,结晶性和表面形貌最优电实验所得的薄膜均表现出顺磁-铁磁-反铁磁相转变,然而转变过程比块材较平缓,同时薄膜的电阻率并未表现出块材中的突变特征,我们推测该现象很可能是由衬底的应力及衬底的晶格膨胀对薄膜反常晶格变化的抑制作用造成的.

关键词: GaCMn3反钙钛矿薄膜 , 不同激光能量 , 多取向结构 , 应力 , 磁电输运性质

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