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磁控溅射Ni-Mn-Ga薄膜的磁致应变

郭世海 , 张羊换 , 陈自新 , 李长生 , 王国清 , 王新林

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.02.006

采用直流磁控溅射的方法,在NaCl基底上沉积了Ni-Mn-Ga薄膜,对薄膜进行了形貌观察、微区成分及结构分析,并测量了薄膜的磁致应变.结果表明,薄膜表面可见大小不一的团簇颗粒,具有明显的岛状结构,表明Ni-Mn-Ga薄膜的形成为典型的核生长型机制.热处理前的薄膜具有部分非晶存在,热处理后薄膜晶化为多晶形态.无约束薄膜在磁场下呈现负的磁致应变,在1.3T磁场下,其最大应变值可达-0.008%,并且可以完全恢复.

关键词: Ni-Mn-Ga , 形状记忆合金 , 薄膜 , 磁致应变

预加压应力对Ni-Mn-Ga-RE(RE=Tb,Sm)合金磁感生应变的影响

郭世海 , 张羊换 , 赵增祺 , 李健靓 , 王新林

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2005.02.009

研究了稀土元素Tb和Sm对Ni-Mn-Ga磁性形状记忆合金的马氏体相变及磁致应变的影响,并着重研究了预加压应力对合金磁致应变的影响作用.结果发现,微量的稀土元素Tb和Sm的掺入,降低了合金的马氏体相变温度和居里温度.在施加一定的预加压应力后,其磁致应变值有大幅提高,并且大预加压应力在较低磁场下不能使合金产生最大磁致应变,但能够使合金在高磁场作用下获得大磁致应变,所以施加适当的预加压应力是提高合金磁致应变的有效方法.

关键词: Ni-Mn-Ga合金 , 预加压应力 , 稀土 , 磁致应变 , 形状记忆合金

磁性形状记忆合金的研究现状及发展

郭世海 , 张羊换 , 王新林

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2005.03.018

磁性形状记忆合金是一种新发展起来的形状记忆材料, 合金具有大恢复应变、大输出应力、高响应频率和可精确控制的综合特性, 有望成为压电陶瓷和磁致伸缩材料之后的新一代驱动与传感材料. 系统阐述了近年来磁性形状记忆合金的研究进展, 并着重介绍了目前研究最多的Ni-Mn-Ga合金的结构、相变、形状记忆效应、制备方法及其在应用方面的一些新的研究成果, 并提出了磁性形状记忆合金需要深入研究的问题及其发展方向.

关键词: 磁性形状记忆合金 , Ni-Mn-Ga合金 , 马氏体相变 , 磁致应变 , 形状记忆效应

铸态及快淬态Ni50Mn26Ga19Fe5合金的磁致应变

郭世海 , 张羊换 , 祁焱 , 全白云 , 王国清 , 王新林

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2006.10.009

研究了铸态及快淬Ni50Mn26Ga19Fe5掺杂合金的磁致应变性能.结果表明,掺Fe的Ni-Mn-Ga合金也具有典型的热弹性马氏体相变过程和磁转变过程,但铸态合金的结构为7层调制型马氏体(7M),而快淬合金的结构为14层调制型马氏体(14M).铸态合金最大磁致应变可达0.1%,快淬薄带合金最大磁致应变只能达到0.0095%.Ni50Mn26Ga19Fe5铸态合金比快淬合金有更大的磁致应变,说明掺杂元素Fe在Ni-Mn-Ga合金中的作用较为复杂.

关键词: Ni-Mn-Ga , 磁性形状记忆合金 , 磁致应变 , 快淬

粘结NiMnGaSi合金的结构、相变和大磁致应变研究

蔡培阳 , 冯尚申 , 薛双喜 , 周英 , 陈卫平

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2009.03.018

采用还原扩散方法制备了NiMnGaSi合金粉末,并粘结成磁体.磁测量表明粘结磁体的马氏体相变开始温度MS为308 K,居里温度TC为358 K.磁致应变测量发现粘结NiMnGaSi磁体在300 K、0.7 T的磁场下具有0.56%大磁致应变.

关键词: 金属材料 , 还原扩散法 , 粘结 , 马氏体相变 , 磁致应变 , NiMnGa合金

铁磁形状记忆合金Ni50Mn28.5Ga21.5单晶变体强磁场处理及磁致应变

李灼 , 王敬民 , 刘伟超 , 蒋成保

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2008.03.009

采用光子加热悬浮区熔法制备出直径7 mm、长60 mm的Ni50Mn28.5Ga21.5单晶.分别切割成8.1 mm×4.3mm×4.4 mm和直径7mm,长38.9 mm的两块单晶体,利用10 T强磁场进行变体处理获得近似单变体,并获得了5.2%的大磁致应变.磁致应变压力效应的测试表明,随压应力增大,孪晶再取向的临界磁场强度增大,磁致应变降低.

关键词: 铁磁形状记忆合金 , NiMnGa单晶 , 磁致应变 , 压力效应

铁磁形状记忆合金Ni50Mn28.5Ga21.5单晶变体磁场处理及磁致应变

李灼 , 王敬民 , 刘伟超 , 蒋成保

金属学报

NiMnGa合金的大磁致应变是在具有单变体结构的单晶中获得的。目前,国际上普遍采用单向压缩工艺获得单变体。但是,对较大长径比样品,由于此工艺会造成弯曲变形,不可能通过压缩进行单变体处理。本文报道了一种用强磁场处理的方法,进行NiMnGa单晶的单变体处理。采用光子加热悬浮区熔法,制备了Ф7×38.9 mm的Ni50Mn28.5Ga21.5合金单晶。通过10T脉冲磁场反复磁化的方法,对单晶样品进行变体处理,获得近似单变体,并获得了5.2%的大磁致应变。研究了磁致应变的压力效应,结果表明随压应力增大,孪晶再取向的临界磁场强度增大,饱和磁致应变降低。

关键词: 铁磁形状记忆合金 , NiMnGa , single crystal , magnetostrain

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