艾明哲
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贾雅婷
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陈忠志
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徐慧中
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彭斌
功能材料
采用射频磁控溅射法用Ta作为缓冲层,在集成电路晶元上制备NiFe薄膜,并研究分析了Ta缓冲层厚度以及Ta缓冲层溅射功率对NiFe磁阻薄膜性能的影响,通过测试结果可以得到,当溅射功率由小变大时,NiFe薄膜的磁阻值也由小变到大.当Ta层的厚度在5nm左右时,NiFe更容易形成(111)织构,这时其磁阻值也最大.利用优化后的工艺,在晶元上制备NiFe薄膜,测试结果显示出开关特性,其开关场分别在398和796A/m左右.
关键词:
各向异性磁阻
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NiFe薄膜
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缓冲层
,
磁阻开关
