吴春瑜
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沈桂芬
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王颖
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朱长纯
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李玉魁
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白纪彬
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.01.002
在衬底温度400℃条件下对n型(100)单晶硅进行剂量分别为5×1017cm-1和1×1018cm-1的C+注入,经过在1050℃氮气氛下进行60min退火形成β-SiC埋层.通过X射线光电子能谱(XPS),俄歇电子能谱(AES)及付立叶变换红外吸收光谱(FTIR),对所形成的碳化硅埋层进行了测试与分析.结果表明在此条件下,在Si中可以形成一定的SiC埋层,并且C+离子注入硅衬底可以形成β-SiC和α-SiC.SiC埋层主要由非立方相的α-SiC和立方相的β-SiC所构成.
关键词:
SiC
,
离子束合成
,
能量损失谱
邢玉梅
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俞跃辉
,
林梓鑫
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宋朝瑞
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杨文伟
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.03.010
采用离子束合成法,将p型(100)单晶硅衬底加热并保持在700℃的条件下分别进行剂量为8.0×1017cm-2和9.0×1017cm-2的C+注入,随后在氩气保护下经1250℃退火5h后形成β-SiC埋层.借助红外反射光谱、卢瑟福背散射能谱以及高分辨透射电镜等测试手段,对退火前后碳化硅埋层的组分及结构进行了表征分析,结果证明形成的碳化硅埋层结晶质量较好,并与硅衬底呈良好的外延关系.
关键词:
碳化硅
,
离子束合成
,
埋层