叶旭
,
陈冬梅
,
李娴
,
杨定明
材料导报
稀土发光材料是一类很有发展前途的新型功能材料.综述了国内外稀土发光材料的研究进展,总结了稀土发光材料的种类、发光特性、应用、制备方法和发光机理等,同时分析了稀土发光材料在发展过程中亟待深入研究的问题,最后展望了其发展前景.
关键词:
稀土发光材料
,
发光特性
,
制备方法
,
发光机理
罗勇悦
,
彭蕾蕾
,
淡宜
,
张立
,
赵昆
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00499
采用溶胶-凝胶法制备硅铝二元膜包覆稀土发光材料. 通过扫描电镜、X光电子能谱、比表面、多晶X射线衍射、荧光光谱和发光亮度的测试, 研究了材料的结构、包覆层与原始发光材料的相互作用及材料发光性能; 进一步通过pH值测定, 考察了材料的耐水性. 结果表明, 包覆层以无定型态与原始发光材料以化学作用结合, 而不是简单的物理包覆; 在原始发光材料表面包覆一层均匀的硅铝二元膜, 可有效提高材料的耐水性能, 而对材料的发光性能影响不大.
关键词:
稀土发光材料
,
sol-gel
,
coating
,
structure
常树岚
,
路趁霄
稀有金属材料与工程
用高温固相法首次合成了Ce3+、Tb3+、Ce3+/Tb3+激活CaO-B2O3-CaCl2(CBC)基质的系列发光材料.通过荧光光谱、IR谱、SEM等研究表明:不同波长激发CBC:Tb3+的蓝/绿发射不同,而CBC:Ce3+/Tb3+的主要发射源于Tb3+的3D4→7F5跃迁;双掺0.04 mol Tb3+的发射强度为单掺0.14 mol Tb3+的5.6倍,Ce3+是Tb3+的高效敏化剂;CBC:Ce3+/Tb3+含有[BO3][BO4]和[BCl4]基团,Ce3+、Tb3+同时进入基质,形成体积补偿,使体系稳定;发光体与 CBC 存在同位发射现象;CBC:Ce3+/Tb3+中存在Ce3+→Tb3+的电多极相互作用的共振传递及CBC→Ce3+、CBC→Tb3+、Ce3+→Ce3+的多重能量传递.
关键词:
稀土发光材料
,
CBC:Ce/Tb
,
光谱特性
,
能量传递
臧竞存
,
祁阳
,
刘燕行
材料导报
固体白光照明节能省电、无污染、长寿命,是替代白炽灯和荧光灯的新一代半导体光源.介绍了白光LED的产生、优点和研究现状,以及与之相匹配的稀土发光材料的研究动态,主要包括蓝光、紫外光和近紫外光转换型荧光粉,并介绍了新型单一相白光LED荧光粉和新型荧光体的发展状况,最后分析和评述了我国白光LED的差距和发展前景.
关键词:
固体照明
,
LED
,
荧光粉
,
稀土发光材料
燕映霖
,
王娟
,
王亮亮
,
卢正欣
,
任冰
,
许云华
材料研究学报
使用氧化钆、氧化铕和偏钒酸铵为原料,以CTAB为表面活性剂,用水热合成法改变表面活性剂CTAB加入量和pH值,制备出从微米尺度到纳米尺度的一系列GdVO4∶ Eu3+荧光粉.使用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和荧光光谱(PL)等测试手段对样品的物相、形貌、发光性能进行表征,研究了表面活性剂CTAB浓度和反应液的pH值对GdVO4∶ Eu2+荧光粉形貌与性能的影响.结果表明,反应液的pH值显著影响样品的晶粒尺寸,pH=1时得到了微米级的晶体颗粒,pH=4时得到边长为200 nm左右的晶片产物,而在pH=7时得到尺度10-20rim的小晶片,在pH=10的碱性条件下出现了氢氧化物杂质.不同表面活性剂的加入量显著改变了晶体生长方向和团聚方式,从而改变了样品的最终形貌.样品的发光性能随着晶粒尺寸和结晶度变化显著,百纳米边长结晶良好的GdVO4∶Eu3+四方晶片的发光性能最为优良.
关键词:
无机非金属材料
,
稀土发光材料
,
水热合成法
,
钒酸钆
,
pH值
,
表面活性剂
罗勇悦
,
彭蕾蕾
,
淡宜
,
张立
,
赵昆
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2007.03.025
采用溶胶-凝胶法制备硅铝二元膜包覆稀土发光材料.通过扫描电镜、X光电子能谱、比表面、多晶X射线衍射、荧光光谱和发光亮度的测试,研究了材料的结构、包覆层与原始发光材料的相互作用及材料发光性能;进一步通过pH值测定,考察了材料的耐水性.结果表明,包覆层以无定型态与原始发光材料以化学作用结合,而不是简单的物理包覆;在原始发光材料表面包覆一层均匀的硅铝二元膜,可有效提高材料的耐水性能,而对材料的发光性能影响不大.
关键词:
稀土发光材料
,
溶胶-凝胶
,
包覆
,
结构
付晓燕
,
施刚
,
黄桂美
,
许龙山
,
张洪武
稀土
采用KOH-水热的方法制备出方块形纳米级Gd2O3∶Sm,并测定了它的光谱,研究了焙烧温度对发光强度的影响,结果表明,热处理对颗粒的形状影响较小,甚至800℃焙烧仍然能得到尺寸在50nm～100 nm的纳米方块.样品在569 nm、574 nm、584 nm,598 nm、606 nm、615 nm、621 nm,655 nm、668 nm处有发射峰,分别归属于4G5/2—6H5/2,4G5/2—6H7/2,4G5/2-6H9/2；其中,位于606 nm处4G5/2—6H7/2跃迁最强,样品发射出明亮的橙色光,400℃焙烧得到的样品其发光强度明显弱于800℃焙烧得到的样品.
关键词:
稀土发光材料
,
纳米方块
,
Gd2O3∶ Sm
