王天民
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王文军
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张洪涛
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王宝义
稀有金属材料与工程
用分子动力学方法,采用Finnis-Sinclair类型的多体势,对TiAl中小尺寸空位团(N0=2,3,4)的各种可能构形进行了模拟计算,计算了空位团的形成能、结合能,分析讨论了空位团最稳定的构形,在此基础上,研究了空位团对单空位迁移的影响.计算结果表明:在TiAl合金中,组成空位团的每个空位都尽可能地与其它空位保持最近邻关系,空位团附近有反位原子.当空位团较大时,空位团周围的原子会向空位中心塌陷,类似于空位团中包含有间隙原子.已有的空位团可作为空位的凝聚中心具有捕获或吸收附近空位的能力.
关键词:
计算机模拟
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金属间化合物
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钛铝合金
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空位
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空位团
,
迁移
王进
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关小军
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曾庆凯
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张向宇
人工晶体学报
为了获得硅单晶中空位团的形成能以及有关因素的影响规律,采用分子动力学方法进行了模拟计算和分析,揭示了模型体系大小、空位团构型和空位数目对空位团形成能的影响规律和机理.结果表明:总体上,模型体系大小和空位团构型对空位团形成能的影响不大；3 ×3 ×3模型更适合于硅单晶空位形成能的计算和分析；当空位数目≤5时,最小空位团形成能随空位数目增大而线性增加；空位团形成能实质上主要取决于所需破坏的Si-Si键数目及键能.
关键词:
硅单晶
,
形成能
,
空位团
,
分子动力学
