杨帅
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陈贵锋
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王永
硅酸盐通报
利用Fourier变换红外光谱技术研究了高剂量快中子辐照直拉单晶硅中的辐照缺陷.研究表明,当中子剂量超过1018n·cm-2,在硅晶体会引入大量的非晶区和少量的非晶层(由连续的非晶区组成),分别在FTIR光谱中引入485和529.2 cm-1两个吸收带.退火实验表明,非晶区(485 cm-1)经150℃热处理后开始再结晶,有效的退火温度约为300℃;非晶层(529.2 cm-1)经300℃热处理后开始再结晶,有效的退火温度为500℃左右.
关键词:
直拉硅
,
中子辐照
,
非晶区
,
空位型缺陷
王康
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邓爱红
,
龚敏
,
卢晓波
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张元元
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刘翔
金属学报
doi:10.11900/0412.1961.2016.00266
利用SEM和慢正电子束分析(SPBA)方法研究了不同注量的多能氦离子注入和注氦后不同温度退火的多晶W中He相关缺陷的演化机制。结果表明,W材料中由多能氦离子注入引入的空位型缺陷数目随着He+注量的升高而增大;220 ℃退火引起注氦W样品中的间隙W原子与空位的复合,降低了材料中的空位型缺陷数目;450 ℃和650 ℃退火的注氦W材料中形成了He泡,He泡尺寸与退火温度有关,650 ℃退火的样品中观测到直径达600 nm的大尺寸He泡和孔洞结构。
关键词:
W
,
He
,
正电子湮没
,
空位型缺陷
