郜锦侠
,
张义门
,
张玉明
,
汤晓燕
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.02.012
在推导一个等效沟道厚度模型的基础上,对SiC隐埋沟道MOSFET亚阈特性进行了研究.首先利用泊松方程的解对等效沟道厚度的计算式进行了推导,计算结果表明,在N+D/N-A≤43的情况下,等效沟道厚度与栅压和沟道深度无关,亚阈区峰值电势随栅压线性变化,推出了一个简化的亚阈电流表达式,并在计算中计入了界面态的影响.该表达式可用来对沟道载流子浓度进行提取.
关键词:
等效沟道厚度
,
SiC
,
隐埋沟道
,
MOSFET
,
亚阈特性
