卢振伟
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吴现成
,
徐大印
,
赵丽丽
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张道明
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王文海
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甄聪棉
材料导报
随着集成电路的飞速发展,半导体器件特征尺寸按摩尔定律不断缩小.SiO2栅介质将无法满足Metal-oxide-semniconductor field-effect transistor(MOSFET)器件高集成度的需求.因此,应用于新一代MOSFET的高介电常数(k)栅介质材料成为微电子材料研究热点.介绍了不断变薄的SiO2栅介质层带来的问题、对MOSFET栅介质材料的要求、制备高k薄膜的主要方法,总结了高k材料的研究现状及有待解决的问题.
关键词:
微电子材料
,
栅介质
,
等效SiO2厚度
,
薄膜
李驰平
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王波
,
宋雪梅
,
严辉
材料导报
介绍了微电子工业的发展趋势和SiO2作为CMOS栅介质减薄所带来的问题,从而引出对高K材料的需求,简单介绍了作为栅极介质的各种高介电常数材料的性能的比较及制备高K薄膜的主要方法,总结了一些高K材料的研究现状,论述了目前有待进一步解决的问题,并展望了高K材料的发展趋势.
关键词:
高K材料
,
SiO2栅介质减薄
,
等效SiO2厚度
