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溅射SiC薄膜的XPS分析

汤海鹏 , 王英华 , 田民波 , 李恒德

材料研究学报

用XPS 技术对射频溅射SiC 薄膜的结构特征进行了分析。测定了以Si(2p)和C(1s)峰的相对移动定义的化学位移和谱中等离子体激元损失峰的特征损失能量。测定的结果揭示了该薄膜的结构特点,从而对其化学键的性质、成分和缺陷有了进一步的认识。

关键词: SiC,射频溅射薄膜 , RF-sputtered film , chemical shift