马国佳
,
吴志猛
,
李新
,
邓新绿
,
徐军
,
唐祯安
材料保护
doi:10.3969/j.issn.1001-1560.2003.05.017
用等离子体源注入(PSII)在Si(100)上制备类金刚石膜,放电气体采用CH4, 用微波电子回旋共振(ECR)产生等离子体.将-20～-30 kV的高压加在衬底上,来提高离子的能量.通过Raman光谱和FT-IR光谱检测了类金刚石膜的化学组成及状态,并对其机械性能和表面形貌进行了检测.结果显示,硅片硬度和摩擦因数得到了改善,用PSII能够制备出性能优良的膜,可以将其应用到微电子器件(MEMS)上去.
关键词:
类金刚石
,
等离子源注入
,
化学键
