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一种硅埋置型系统级封装中集成毫米波无源器件工艺

王华江 , 汤佳杰 , 吴亮 , 罗乐 , 孙晓玮

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.03.019

本文研究了一种基于低阻硅埋置腔体和BCB/Au金属布线的系统级封装技术,改进了介质层BCB在有腔体硅衬底上的第一次旋涂工艺.利用25um厚的BCB介质层,在低阻硅衬底上设计、制作了微带传输线(MSL)、接地共面波导线(CPWG),测试发现具有理想的传输性能:标准50欧姆微带传输线,在20-30GHz频带内插入损耗小于0.08dB/mm,回波损耗大于32dB/mm.在此基础上基于薄膜微带线结构设计、制作了一种应用于K波段雷达前端系统集成功分器,面积约为1.6×0.84mm2,插入损耗小于0.45dB,端口回波损耗大于25dB.

关键词: 系统级封装(SIP) , 微带传输线 , 共面波导线 , 功分器

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