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K2O助溶剂提拉法和富锂提拉法生长的近化学计量比LiNbO3晶体性质的比较

王海丽 , 杭寅 , 张连瀚 , 祝世宁 , 徐军

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.01.011

分别采用K2O助溶剂提拉法和富锂提拉法生长了近化学计量比LiNbO3晶体.比较了两种方法生长的晶体紫外吸收边和红外吸收谱的差别,光谱结果表明,K2O助溶剂提拉法生长的晶体组成非常均匀,而富锂提拉法生长的晶体组成不均匀,沿晶体生长方向,Li2O含量逐渐增加.另外,两种生长方法中,籽晶表面均看到螺旋状环,分析了其产生原因.

关键词: 近化学计量比LiNbO3晶体 , K2O助溶剂提拉法 , 富锂提拉法 , 紫外吸收边 , 红外吸收谱

高均匀性高掺镁铌酸锂晶体的生长与表征

涂小牛 , 郑燕青 , 陈辉 , 孔海宽 , 忻隽 , 曾一明 , 施尔畏

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2010.01257

采用提拉法生长了高掺镁铌酸锂晶体,并采用高温极化法使晶体单畴化.为研究晶体的成分均匀性、光学均匀性及铁电畴均匀性,采用光谱、激光干涉、电子探针、显微观察等表征手段测定与观察了晶体的紫外吸收边、OH吸收峰、折射率梯度Δn、晶体径向上的微观成分及晶体的铁电畴结构.结果表明:通过采用合适的生长组分和改进提拉法生长工艺获得了高质量的高掺镁铌酸锂晶体.晶体的紫外吸收边位于308nm附近,OH吸收峰位于高抗光损伤阈值特征峰2828 nm处,光学均匀性达Δn<5011×10-5.在1200℃下通过外加电场极化获得了高均匀性且完全单畴的铁电畴结构.

关键词: 高掺镁铌酸锂晶体 , 紫外吸收边 , OH吸收峰 , 畴结构 , 光学均匀性

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