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利用HRXRD和UV-Vis反射光谱确定AlGaN/GaN/Al2O3的结构与成分

季振国 , 冯丹丹 , 席俊华 , 毛启楠 , 袁苑 , 郝芳 , 陈敏梅

材料科学与工程学报

结合紫外-可见光谱和高分辨XRD两种测试方法,无损、可靠地确定了AlGaN/GaN HEMT结构内各层的厚度、成分、应力等参数,解决了高分辨XRD无法同时确定成分与应力的难题.这两种方法的好处是样品不需经过特殊的处理,也不需进行切割、减薄等工艺,具有快速、无损、准确的特点,可以作为AlGaN/GaN HEMT器件的筛选工具,提高器件的成品率、降低生产成本.

关键词: X射线衍射 , 紫外-可见反射 , 无损检测

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