刘航
,
介万奇
,
徐亚东
,
杨睿
人工晶体学报
采用Te溶剂结合改进的垂直布里奇曼法(MVB)制备了In:ZnTe与ZnTe晶体,并对晶体的光学与电学特性进行了表征.通过红外透过显微成像技术观察了In:ZnTe与ZnTe中的Te夹杂并进行了统计分析,发现In掺杂未对ZnTe中的Te夹杂的分布和尺寸产生显著影响.红外透过光谱分析表明,In:ZnTe与ZnTe晶体的红外透过率曲线均表现出平直的趋势,且其平均透过率基本相等,约为60％,进一步表明In的掺入并未导致严重的晶格和杂质吸收.然而,Ⅰ-Ⅴ测试分析发现,In掺杂使得ZnTe晶体的电阻率提高了5个数量级.同时Hall测试分析表明,In:ZnTe与ZnTe晶体均为p型导电,In掺杂很大程度上补偿了晶体中的Vzn,使得晶体中的载流子浓度降低了4个数量级.对比了两种晶体的紫外-可见-近红外透过光谱,可以观察到,In掺杂使ZnTe的吸收边从550 nm红移到560nm,这可能是由于In掺杂引入的浅能级导致的吸收边带尾现象造成的.
关键词:
MVB-Te溶剂法
,
In掺杂
,
红外透过显微成像
,
Ⅰ-Ⅴ测试
,
Hall测试
徐亚东
,
介万奇
,
王涛
,
俞鹏飞
,
杜园园
,
何亦辉
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00359
采用红外透过显微镜(IRTM)观察了不同条件下生长的CdZnTe晶体中微米级富Te颗粒.结合实际生长条件分析了不同富Te颗粒的产生以及形态演化.通过低温光致发光(PL)谱研究了CdZnTe晶体中杂质、缺陷的状态,以及晶体的结晶质量,并测试了相应晶体的电阻率.归纳出不同富Te颗粒的产生与对应晶体10 K温度下PL谱中特征发光峰之间的关系.研究表明:富Te条件下生长的晶体存在圆形、六边形以及三角形富Te颗粒,PL谱中(D0,X)峰强度占主导;按化学计量比生长的晶体存在十字交叉的富Te颗粒,PL谱中DAP峰强度占主导;Cd过量生长的晶体存在星形富Te颗粒,PL谱中(D0,X)半峰宽较宽.
关键词:
CdZnTe晶体
,
红外透过显微成像
,
富Te颗粒
,
PL谱
徐亚东
,
介万奇
,
王涛
,
俞鹏飞
,
杜园园
,
何亦辉
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00359
采用红外透过显微镜(IRTM)观察了不同条件下生长的CdZnTe晶体中微米级富Te颗粒. 结合实际生长条件分析了不同富Te颗粒的产生以及形态演化. 通过低温光致发光(PL)谱研究了CdZnTe晶体中杂质、缺陷的状态, 以及晶体的结晶质量, 并测试了相应晶体的电阻率. 归纳出不同富Te颗粒的产生与对应晶体10K温度下PL谱中特征发光峰之间的关系. 研究表明:富Te条件下生长的晶体存在圆形、六边形以及三角形富Te颗粒,PL谱中(D0,X)峰强度占主导;按化学计量比生长的晶体存在十字交叉的富Te颗粒,PL谱中DAP峰强度占主导;Cd过量生长的晶体存在星形富Te颗粒, PL谱中(D0,X)半峰宽较宽.
关键词:
CdZnTe晶体
,
infrared transmission microscopy
,
Te-rich particles
,
PL spectra
