王志华
,
高巍
绝缘材料
doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2009.01.012
汇总了纳秒脉冲真空绝缘沿面闪络实验研究结果,实验表明,不同电压波形作用下闪络场强存在较大差异.纳秒脉冲闪络场强显著高于其它电压波形.分析认为纳秒脉冲闪络是一个不断向平衡状态逼近的过程,基于电子激励解吸附原理的二次电子崩理论(SEEA)适用于分析纳秒脉冲真空闪络问题.在纳秒脉冲闪络发生的微观过程中,阴极三结合点场致电子发射是真空闪络发生的必要条件,二次电子崩过程是闪络发展的必备环节.闪络过程在绝缘体表面脱附气体层中完成.
关键词:
纳秒
,
真空
,
闪络
,
阴极三结合点
,
二次电子崩
张百顺
,
吴朝辉
,
周健
,
王首长
,
黄荔
,
郭强
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2012.01.007
LiNbO3晶体由于其透光范围广,响应速度快,不易潮解等特点而广泛用于高精度和高速光开关快门.为了将LiNbO3光开关曝光时间拓宽到纳秒领域从而弥补现有高速光开关的不足,阐述了LiNbO3作为光开关的理论原理,对多波段通光的晶体长宽比进行了优化设计,并对LiNbO3纳秒级光开关的可行性进行了实验验证.实验半波电压与理论符合很好,实验光信号和电信号在纳秒级范围内能实现同步响应.研究结果证实了LiNbO3光开关在纳秒级范围内的可行性,并为LiNbO3纳秒级光开关的制作提供了理论和实验依据.
关键词:
光电子学
,
纳秒
,
LiNbO3
,
光开关
