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印刷技术发展的回顾与展望

蒲嘉陵

影像科学与光化学

从单纯的技术角度,印刷可以定义为是通过选择性添加适当物质的方法将拟表达的信息、内容或功能呈现在适当载体上的过程,属于典型的附加型、面处理(并行处理)技术范畴,具有空间分辨率高、生产效率高和成本低的特点.正是由于这些特质,印刷是开创现代文明的重要载体,也是人类文明历史上最重要、历史最悠久的传媒技术,今天又在表面装饰、印刷电子、超高规模集成电路制备等领域得到广泛应用.作为传媒技术,印刷的核心作用是可视化,因此将适当呈色剂放置在适当载体上成为技术关键;在表面装饰和印刷电子领域中,印刷的作用是将适当功能单元(如,防护、装饰、电子或光电子功能单元)选择性放置在适当载体上,以满足装饰或/和某种功能的需要;在超高规模集成电路领域,印刷的作用主要体现在表面微加工,核心是印刷技术拥有的微纳米加工的能力.本文也是从这个几个方面,对印刷技术在过去几千年的发展历程和今后的发展趋势有一个概略的回顾和展望.

关键词: 印刷技术 , 传播媒介 , 印刷电子 , 表面微加工 , 纳米压印

纳米压印中聚合物界面行为的分子动力学

熊孝东 , 魏正英 , 杜军 , 丁玉成

高分子材料科学与工程

在纳米压印中,模具和聚合物之间的相互作用能对压()特征的图型转移质量有着重要影响,文中利用分子动力学分别选择聚二甲基硅氧烷(PDMS),聚乙烯(PE),聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)研究了他们和模具壁面之间在不同距离时,壁面和聚合物之间相互作用能的变化关系,并考虑聚合物填充过程中压强对模具壁面和聚合物之间相互作用的影响,以及聚合物聚合度对他们之间的影响.通过研究得出,聚合物和壁面之间相互作用能随距离的增大而减小,随聚合物聚合度的增加而增大;对于常温紫外压印,压强在233 kPa左右时聚合物和模具壁面间的相互作用能出现了峰值点.

关键词: 纳米压印 , 分子动力学 , 聚合物 , 吸附 , 相互作用能

GaN基LED图形衬底的性能研究

李程程 , 徐智谋 , 孙堂友 , 王智浩 , 王双保 , 张学明 , 彭静

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2013.12550

蓝宝石图形衬底可以降低外延位错密度并增强背散射光,已经成为制备高亮LED有效技术手段.本研究运用时域有限差分(FDTD)法模拟和比较了GaN基微纳米图形衬底LED几种衬底图形结构对光的提取效率的影响.模拟结果显示纳米图形衬底(NPSS)对光效的提高明显优于微米图形衬底(MPSS).在对圆柱、圆孔、圆台、圆锥和曲面锥等纳米结构的研究中,圆台柱结构的纳米图形衬底对光提取效果最好.通过进一步模拟优化,得到圆台结构的最佳参数,此时相对于普通衬底LED光的提取效率提高了96.6%.试验中,采用软模压印技术在蓝宝石基片上大面积制备出纳米圆台图形衬底,并测得外延生长GaN层后的外延片的PL强度增加了8倍,可见纳米图形衬底对提高LED的出光效率有显著效果.

关键词: GaN基LED , FDTD , 图形衬底 , 纳米压印

基于纳米压印 PET 基底的高效柔性有机电致发光器件

朱红 , 田宇 , 唐建新

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20163108.0733

为了克服现有的以玻璃为基底、ITO 为电极的有机电致发光器件(OLED)的韧性差、对裂纹缺陷敏感等固有缺点,对现有的 OLED 器件结构进行优化.本文提出了以 PET 为基底,旋涂高导 PEDOT∶PSS 作为阳极的高效柔性 OLED器件结构.并在此基础上,通过纳米压印蛾眼模板将光耦合结构引入器件,提高器件的光取出效率.此绿光 FOLED 器件在亮度为1000 cd.m-2时,功率效率为36.10 lm.W-1.在此基础上,通过纳米压印引入光耦合结构的柔性 OLED器件表现出良好的光电性质,在亮度为1000 cd.m-2时,功率效率可达到80.46 lm.W-1.并且这种绿光柔性 OLED器件在以器件半边长为曲率半径180°弯折200次后亮度衰减很少.此种高导 PEDOT∶PSS 电极和柔性 PET 基底可以成为较好的 ITO 透明电极和刚性玻璃基底的替代物,为生产可穿戴式设备提供了可能.

关键词: 柔性 , 高效 , 有机电致发光器件 , 纳米压印

全印刷碳纳米管薄膜晶体管构建及电性能研究

张祥 , 费斐 , 郭文瑞 , 聂书红 , 吴良专 , 谢建军 , 赵建文 , 崔铮

影像科学与光化学 doi:10.7517/j.issn.1674-0475.2016.02.136

利用纳米压印和电刷镀技术在PET基体上制作出大面积金源、漏电极阵列.分别采用钛酸钡复合材料为介电层,印刷银电极为顶电极,聚芴-二噻吩基吡咯并吡咯二酮(PF8DPP)分离的半导体碳纳米管为有源层,在柔性基体上构建出全印刷碳纳米管薄膜晶体管器件和反相器.全印刷碳纳米管薄膜晶体管的开关比和迁移率分别达到4×104和6 cm2·V-1·s-1,且器件表现出零回滞特性.构建的反相器在Vdd=8 V时,其增益可以达到12.

关键词: 纳米压印 , 电刷镀 , 半导体碳纳米管 , 聚合物 , 印刷电子 , 薄膜晶体管

纳米压印抗蚀剂变形行为的分子动力学计算

李世泽 , 魏正英 , 杜军 , 唐一平 , 楚华丽

高分子材料科学与工程

为了提高纳米压印的成型质量,采用粗粒化分子动力学方法,研究纳米压印中抗蚀剂的变形行为.计算模型包括线宽结构的硅模具,聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)聚合物薄膜以及硅基板.模型的x,y方向采用周期性边界条件,z方向采用非周期性边界条件.分析不同压印条件下,模具所需要的压印力及不同区域抗蚀剂密度的变化.结果表明,随着模具槽宽的增大,压印温度的上升,在下压过程中所需要的压印力逐渐减小;在脱模初始阶段,模具和抗蚀剂之间的相互作用力出现阶跃式的递减;下压阶段,抗蚀剂局部密度增加;脱模阶段,抗蚀剂出现回弹现象.

关键词: 纳米压印 , 粗粒化分子动力学 , 抗蚀剂变形行为

工艺参数偏差对纳米压印a-Si太阳电池光学性质的影响

陆晓东 , 张鹏 , 周涛 , 赵洋 , 李媛 , 吕航

人工晶体学报

先基于实际工艺条件和频域有限差分法,优化了纳米压印三角带型a-Si太阳电池织构结构,然后重点探讨了有源层和铝背反镜厚度偏差、SiNx增透膜折射率和厚度偏差及织构结构几何尺寸偏差对a-Si太阳电池光电流密度的影响.研究表明:TM模受有源层和铝背反镜厚度偏差、SiNx增透膜折射率和厚度偏差及织构结构几何尺寸偏差的影响较小,平均光电流密度的变化主要受TE模光电流随工艺偏差的影响;增透膜和压印模板制备过程中,有效控制工艺参数的偏离是获得最优a-Si太阳电池设计性能的关键.

关键词: a-Si太阳电池 , 纳米压印 , 工艺偏差

纳米压印抗蚀剂研究进展

霍永恩 , 贾越 , 王力元

影像科学与光化学

纳米压印是最有希望的下一代纳米成像技术之一.基于其机械压印原理,纳米压印技术可以实现的图形分辨率超越了在别的传统技术中由光衍射或粒子束散射造成的局限.本文介绍纳米压印技术的基本原理,回顾了近期纳米压印抗蚀剂的研究进展.对影响抗蚀剂性能的主要因素进行讨论,包括玻璃化转化温度/热稳定性、粘度/平均分子量、抗蚀性能等.分别介绍了热压印和紫外压印的常见抗蚀剂材料,这些抗蚀剂的主要部分包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、有机硅改性的聚(甲基)丙烯酸酯、聚酰胺酯、聚二甲基硅烷、聚乙烯基醚化合物、环氧树脂等,并给出这些抗蚀剂体系的优、缺点.本文还介绍了纳米压印抗蚀剂面临的主要问题,对纳米压印技术的优势和问题作了小结.

关键词: 纳米压印 , 抗蚀剂 , 成像

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