李翠翠
,
李娟
,
陈昊
,
张辰威
,
范勇
绝缘材料
doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2008.01.012
通过调整甲基三乙氧基硅烷和正硅酸乙酯的摩尔比,采用溶胶一凝胶法制备了纳米有机硅溶胶用于掺杂的聚酰亚胺(PI)薄膜.对薄膜的结构与电气强度,相对介电常数εr和介质损耗因数(tanδ)的关系进行了实验研究,并采用FT-IR,SEM表征了薄膜的化学结构和表面形貌.结果表明,随着纳米有机硅网络结构的变化,掺杂薄膜的击穿场强先下降后增加,大约在甲基三乙氧基硅烷和正硅酸乙酯的摩尔比为3∶5时出现极小值,在1 kHz的测试频率下,相对介电常数εr先增大后减小,相应的介质损耗因数(tanδ)逐渐降低.
关键词:
聚酰亚胺
,
纳米有机硅
,
电性能
刘晓玉
,
陈慧丹
,
陈昊
,
李娟
,
范勇
绝缘材料
doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2008.05.010
调整二苯基二甲氧基硅烷和正硅酸乙酯的摩尔比,通过溶胶-凝胶法制备了纳米有机硅杂化聚酰亚胺(PI)薄膜.用FT-IR,SEM表征了薄膜的化学结构和表面形貌,对电气强度,耐电晕性进行了实验研究.结果表明,随着纳米有机硅网络结构的变化,掺杂薄膜的电气强度先保持平稳后下降,大约在二苯基二甲氧基硅烷和正硅酸乙酯的摩尔比为1:3时出现极大值,二苯基二甲氧基硅烷和正硅酸乙酯的摩尔比为1:1时杂化薄膜的平均耐电晕寿命为纯聚酰亚胺薄膜平均耐电晕时间的8.57倍.
关键词:
聚酰亚胺
,
纳米有机硅
,
电性能
