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纳米杂化PI薄膜击穿孔区形貌及元素分布

殷景华 , 范勇 , 王暄 , 林家齐 , 雷清泉

材料科学与工艺 doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2006.02.026

无机纳米杂化聚酰亚胺(PI)薄膜具有优良的耐电晕特性,通过观察击穿孔区形貌研究薄膜击穿机理及纳米颗粒的作用,利用SEM观察阶梯式升压强电场击穿无机纳米杂化PI薄膜孔区形貌,能谱仪测试孔区附近元素分布.研究表明:杂化薄膜严重破坏区域仅局限在孔洞附近10~50 μm范围内,随半径增加,其表面由颗粒大小不均匀、表面粗糙不平,逐渐过渡到颗粒均匀的微观结构状态;Cu含量逐渐减少,Au含量逐渐增加,正常区域电极表面没有损伤;氧化铝纳米颗粒在杂化薄膜中起到阻止电极破坏的作用,薄膜击穿机理属热击穿类型.

关键词: 纳米颗粒,聚酰亚胺 , 薄膜 , 击穿孔 , 微结构

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