胡飞
,
叶澍
,
文思逸
,
胡跃辉
材料导报
采用分段恒电位电沉积法在FTO导电玻璃上制备了CuInSe2 (CIS)薄膜.通过线性电位扫描分析了阴极的电化学反应,并通过电化学沉积法制备了CIS薄膜.结果表明,恒电位电化学沉积的薄膜与CIS的化学计量比相差较大,增加溶液中铟离子的浓度,可以提高铟在镀层的含量,使薄膜更接近CIS化学计量比.而采用分段恒电位法沉积薄膜,可以抑制铜硒化合物的生长,使薄膜更接近于CIS化学计量比.
关键词:
线性电位扫描
,
铜铟硒薄膜
,
分段电沉积
,
恒电位电沉积
胡飞
,
陈镜昌
,
付梦乾
,
文思逸
,
胡跃辉
功能材料
通过线性电位扫描分析了低In电解液中的阴极电化学反应,结果表明柠檬酸钠可以降低Cu2+的活性,而H2SeO3的加入可导致阴极上Se元素与Cu+和In3+发生复杂的协同反应.低In电解液中恒电位沉积的薄膜与CIS的化学计量比相差较大,分段电位的恒电位沉积得到的薄膜更接近于CuInSe2(CIS)化学计量比.薄膜在N2气氛上退火处理,得到了黄铜矿结构CIS薄膜,禁带宽度为1.06eV.
关键词:
线性电位扫描
,
铜铟硒(CIS)薄膜
,
分段电沉积
,
柠檬酸钠
罗序燕
,
陈火平
,
朱传华
,
李东林
,
李勋
材料保护
为了研究3种希夫碱光亮剂(DL01、DL02、DL03)及CoSO4在电镀时的电化学行为,采用线性电位扫描法测定了含新型添加剂的硫酸光亮镀锡、锡钴合金镀液的极化曲线.结果表明,在含DL01或镀锡光亮剂FB的硫酸镀锡溶液中,Sn2+的还原峰电位分别为-0.275V及-O.265V.在含DL02或DL03的硫酸镀锡溶液中,有2个Sn2+的还原峰,低电位还原峰分别为-0.160,-0.240V;高电位还原峰的电位分别为-0.395,-0.410V,并使大量析氢电位峰负移-0.080,-0.100V.在含DL01、DL02、DL03及Co-SO4的镀液中,当SnSO4为20 g/L时,Co促进了Sn的沉积产生共析;当SnSO4含量为40g/L时,Co2+的极化作用及共析作用消失.
关键词:
光亮电镀
,
锡
,
锡钴合金
,
线性电位扫描
,
极化曲线
,
协同共沉积
罗序燕
,
彭鹏
,
武斌
,
李东林
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2010.03.005
为了研究希夫碱光亮剂DL01,DL02,DL03及添加剂Co(BF4)2在电镀时的电化学行为,采用线性电位扫描测定了氟硼酸盐光亮镀锡溶液中加入各种新型添加剂后的极化曲线.结果表明,在含DL01或DL03的氟硼酸盐镀液中,Sn2+的还原峰电位分别为-0.230 V和-0.320 V;在含DL01,DL03及少量Co(BF4)2的氟硼酸镀锡溶液中,Sn-Co共沉积峰电位为-0.210 V;Co(BF4)2促进了Sn2+的沉积,Sn-Co的共析是协同共沉积.
关键词:
氟硼酸盐
,
光亮镀锡
,
极化曲线
,
线性电位扫描
,
锡钴协同共沉积
