张红兵
,
李道火
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2002.01.014
本文对N+离子辐照纳米氮化硅量子点的表面特性进行了测试、分析,对离子辐照后量子点蓝光发射显著增强这一现象给出了解释.FTIR测试发现,辐照使Si-N键结合峰增强,说明辐照后Si-N键合数增加,而其它峰未发生变化.XPS全谱表明,量子点中的氧主要集中在其表面,辐照使量子点表面的氧含量增加,进一步通过XPS芯态能谱测试发现,辐照使表面的氧、硅由吸附态转化成结合态.我们认为SiO 2/Si3N4界面中的激子模型可以解释量子点蓝光增强现象,界面层激子效应是蓝光发射增强效应产生的根源.
关键词:
FTIR
,
XPS
,
吸附态
,
结合态
