刘波
,
庄志强
,
苏瑫珑
材料导报
多层陶瓷电容器(MLCCs)体现了电子元器件小型化、复合化、低成本、高可靠性的发展趋势.BME(BaseMetal Electrode)技术的发展促进了Ni内电极MLCCs的生产和应用.为了适应贱金属Ni内电极MLCCs还原气氛烧结需要,对介质瓷料提出了抗还原性要求,使其具有高的绝缘电阻率和长的工作寿命.综述了BaTiO3基介质瓷料的抗还原性措施,涉及电子缺陷浓度的降低以及氧空位缺陷迁移的抑制,并利用缺陷化学阐述了其A位施主和B住受主掺杂的改性机理.
关键词:
钛酸钡
,
多层陶瓷电容器
,
贱金属内电极
,
还原气氛
,
缺陷化学
胡劲
,
孙加林
,
刘建良
,
施安
,
徐茂
,
王开军
材料与冶金学报
doi:10.3969/j.issn.1671-6620.2006.02.008
活化Al-Sr合金粉末水解得到Al(OH)3和Sr(OH)2复合粉末,将其作为长余辉材料的前驱体,采用高温固相反应法制备出Eu、Dy共掺杂的SrAl2O4长余辉材料.利用XRD,SEM,XPS和EDS等技术对Al(OH)3和Sr(OH)2复合粉末的组成和微观结构进行了研究,同时测定了长余辉发光材料的的荧光特性和余辉性能.实验结果表明:前驱体中Al 、Sr在微观状态下分布均匀,有效增大固相反应物之间的接触面积,缩短扩散路径,增大反应速率,降低烧结温度,提高长余辉材料荧光性能.同时利用缺陷化学的基本理论和原则,分析了稀土元素掺杂所生成缺陷对发光性能的影响,改进了长余辉材料空穴转移发光机理模型.
关键词:
Al-Sr合金
,
水解
,
长余辉
,
缺陷化学
,
发光机理
刘洪权
,
郑田田
,
郭倩颖
,
陈蕴博
,
谷亦杰
稀有金属材料与工程
电极材料是推进电池技术发展及应用的关键.作为锂离子电池正极材料的LiFePO4表现出优异的电池性能(大容量、优异循环特性),但也有本征低电导率的缺点.具有橄榄石结构的LiFePO4在电池充放电过程发生FePO4与LiFePO4之间的相变, 已有实验证明充放电过程中出现固溶体LixFePO4.掺杂是提高材料电导率的常用手段,但LiFePO4的掺杂却一直饱受争议；缺陷化学的研究初步认定通过适当点缺陷的电荷补偿,晶体内引入掺杂元素是可以实现的,并且提出几种缺陷补偿机制.导电相复合可降低电极颗粒间的接触电阻,特别是LiFePO4的碳包覆有效地改善其电化学性能,促进其工业化推广;碳包覆的有效性取决于碳的sp2杂化键的比例及碳含量.由于电极材料形貌影响电池的充放电动力学过程,LiFePO4的颗粒尺寸、形状、表面粗糙度等的控制都成为提高电池性能的重要手段；LiFePO4的薄膜制备及三维构架技术则进一步推动微型电池的应用发展.
关键词:
正极材料
,
晶体结构
,
缺陷化学
,
表面包覆
,
LiFePO4
刘惠敏
,
王涛
,
何亦辉
,
周岩
,
张昊
,
徐亚东
,
查钢强
,
介万奇
人工晶体学报
基于缺陷化学理论,考虑到富Te的CdTe晶体中可能存在的点缺陷,建立了在Te气氛下退火时,热力学平衡态晶体中的点缺陷模型,其中包括Cd间隙(Cdi)、Cd空位(VCd)、Te间隙(Tei)和Te反位(TeCd).利用质量作用定律和伪化学平衡方程计算了富Te情况下本征CdTe晶体中的点缺陷浓度和费米能级.计算结果系统的揭示了点缺陷浓度、费米能级、Te压以及退火温度之间的关系,发现只有TeCd浓度足够大时才能对费米能级产生钉扎作用.
关键词:
缺陷化学
,
CdTe
,
点缺陷
,
费米能级
周晓华
,
Sфrensen O.Toft
,
曹全喜
,
徐毓龙
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.1999.06.015
本文着重讨论了掺镁SrTiO3陶瓷的电导与温度和环境氧分压之间的关系. 在SrTiO3中镁的含量分别选为10、20、30、40和50mol%,所有样品均在20～900℃的温度区间和3.8×10-4～2.6×10-1atm的氧分压范围被测试. 结果表明,所有样品均呈现p型半导体的导电特征,样品在不同温度下的R∝PO2-1/m关系中的m与镁的含量和温度有关. 根据X光衍射图和缺陷化学理论,实验结果得到适当的解释.
关键词:
钛酸锶陶瓷
,
缺陷化学
,
非化学计量
,
电导率
陆裕东
,
王歆
,
庄志强
,
刘保岭
,
刘勇
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324x.2007.05.008
采用高温平衡电导法测定了高温平衡电导率随氧分压(10-12～105Pa)的变化曲线,由此确定了未掺杂和Al受主掺杂BaPbO3陶瓷多晶体中的主导缺陷及其电荷补偿缺陷.同时讨论了受主掺杂浓度对材料的高温平衡电导率、高氧分压和低氧分压下主导缺陷转变点的影响,确定了受主掺杂BaPbO3缺陷行为随掺杂量的变化机理.在高氧分压下,材料表现出本征缺陷行为,Pb离子空位占主导,电荷补偿缺陷为空穴;随着氧分压的下降,材料由本征缺陷控制区域进入非本征缺陷控制区域,受主杂质取代Pb离子空位占主导;在低氧分压区域,随着氧离子空位浓度的上升,氧离子空位取代空穴,成为受主杂质的电荷补偿缺陷.
关键词:
BaPbO3
,
缺陷化学
,
非化学计量比
,
受主
