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章连文 , 朱世富 , 王永国 , 杨浔 , 李玉明 , 徐学珍 , 桂尤喜
人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.01.013
本文报道了用中频感应加热提拉法生长Ce:YAP晶体,晶体尺寸为35mm×80mm.在部分晶体中观察到了开裂、解理、孪晶、云层、核心和生长层等宏观缺陷,分析了缺陷与晶体生长温度梯度等因素的关系,对晶体样品进行了吸收光谱和荧光光谱分析.
关键词: Ce:YAP , 闪烁晶体 , 晶体生长 , 缺陷观察 , 光谱分析