雷永鹏
,
王应德
,
宋永才
,
李义和
,
王浩
,
邓橙
高分子材料科学与工程
氮化硼纤维是继炭纤维和炭化硅纤维后广受关注的高性能无机纤维,在航空航天等领域已显示出重要应用前景.聚合物先驱体转化法是其有效的制备方法,合成性能优异的聚硼氮烷先驱体则是该方法的关键.文中介绍了近年来氮化硼纤维聚合物先驱体的最新研究成果,重点综述了先驱体的合成路线及性能,并展望了其未来的研究重点.
关键词:
氮化硼
,
陶瓷纤维
,
聚合物先驱体
,
聚硼氮烷
李公义
,
李效东
,
王浩
,
方庆玲
稀有金属材料与工程
采用聚合物先驱体热解技术,以聚合物先驱体-聚碳硅烷(Polycarbosilane,PCS)为原料,在催化剂辅助作用下,于1200℃热解制备出超长碳化硅(SiC)纳米线.采用电子能量散射(EDS)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和x射线衍射(XRD)等分析手段对SiC纳米线进行了表征.结果表明,所制备的纳米线为高结晶性β-SiC,纳米线直径约为30 nm～300 nm,长度可达数毫米.利用.气-固"生长机制对SiC纳米线的生长过程进行了分析.
关键词:
SiC纳米线
,
聚碳硅烷
,
聚合物先驱体
,
热解
潘建梅
,
程晓农
,
严学华
,
张成华
,
徐桂芳
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2013.12353
采用聚氨酯海绵为多孔模板,浸渍有机硅树脂后在Ar气氛中原位合成了SiC纳米线.采用TG、XRD、SEM和TEM等分析测试手段对样品进行了表征,研究了保温时间对合成SiC纳米线的影响,并探讨了SiC纳米线的生长机理.研究结果表明:SiC纳米线生长在多孔陶瓷中,纳米线长度达几十微米,单根纳米线的直径不均一.SiC纳米线的生长机理为VS生长模式.随着保温时间的延长,纳米线的数量增加,形貌发生了变化,且多孔陶瓷的比表面积明显增大,体积电阻率降低.
关键词:
SiC纳米线
,
聚合物先驱体
,
多孔陶瓷
,
原位合成
