白旭旭
,
介万奇
,
查钢强
,
王涛
,
傅莉
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.03.018
在CdZnTe表面采用真空蒸镀制备了Au和Al电极,研究了在N2氛围退火对Al/CdZnTe接触特性的影响.退火温度在100℃到300℃之间变化,退火时间为5 min.采用Agilent4155c半导体测试仪测试了样品在不同温度退火后的I-V特性.采用Agilent 4294A高精度阻抗分析仪测试了样品在不同温度退火后的C-V特性.I-V和C-V曲线表明,低温退火会使接触势垒高度增加,理想因子趋近于1,电容值下降为退火前的一半左右.当退火温度高于250℃时,接触势垒高度下降,理想因子偏离1,电容值下降近一个数量级.
关键词:
肖特基
,
Al/CdZnTe
,
I-V
,
C-V
樊启哲
,
钟立钦
,
冯庐平
,
余长林
,
廖春发
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2017.09.014
贵金属与半导体复合形成的催化剂具备肖特基结结构,该结构具有整流特性和较低的界面电压,可以调控光生电子的产生和流向,使电子和空穴更有效地分离,提升光催化性能.综述了近年来肖特基半导体光催化剂的研究进展,分析了晶面沉积、形貌结构、表面等离子体效应及共掺杂等因素对该类催化剂性能的影响,从降解污染物、制氢、二氧化碳还原等方面阐述了这类催化剂在环境控制领域的实际应用,并提出了势垒高度、产物控制及催化剂循环利用等潜在的研究方向.肖特基型光催化剂独特的性质将使其成为新的研究热点,得到更深入的研究和应用.
关键词:
肖特基
,
光催化
,
降解
,
废水
