杨祥龙
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杨昆
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陈秀芳
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彭燕
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胡小波
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徐现刚
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李赟
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赵志飞
人工晶体学报
采用物理气相传输法在(0001)面偏向<11-20>方向4°的籽晶上生长了掺氮低电阻率碳化硅(SiC)单晶.结合碳化硅邻位面生长机制,通过优化温场设计,在近平温场下生长出了晶型稳定、微管密度低、高结晶质量的低电阻率4H-SiC单晶.在加工的“epi-ready”SiC衬底上进行了同质外延,获得了光滑的外延层表面.利用该外延材料研制了600V/10 A SiC肖特基二极管,器件的直流性能与进口衬底结果相当,反向漏电成品率高达67％.另外研制了600 V/50 A SiC肖特基二极管,器件的直流性能也达到了进口衬底水平.
关键词:
碳化硅
,
物理气相传输
,
外延
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肖特基二极管
孙国胜
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宁瑾
,
高欣
,
攻全成
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王雷
,
刘兴昉
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曾一平
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李晋闽
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.008
利用台阶控制外延生长技术在偏晶向Si-面衬底上进行了4H-SiC的同质外延生长研究,衬底温度为1500℃,在厚度为32μm、载流子浓度为2～5×1015cm-3的外延材料上制备出了反向阻塞电压大于1kV的Ti/4H-SiC肖特基二极管,二极管的正向与反向电流的整流比(定义偏压为±1V时的电流比值)在室温下超过107,在265℃的温度下超过102,在20～265℃的温度范围内,利用电流电压测量研究了二极管的电学特性,室温下二极管的理想因子和势垒高度分别为1.33和0.905eV,开态电流密度在2.0V的偏压下达到150A/cm2,比开态电阻(Ron)为7.9mΩ·cm2,与温度的关系遵守Ron～T2.0规律.
关键词:
4H-SiC
,
同质外延生长
,
肖特基二极管
朱美光
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张健
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王志亮
,
马殿飞
材料科学与工程学报
采用湿化学刻蚀法直接在n-Si衬底上制备了硅纳米线（Si NWs）,用无电镀法在制备好的硅纳米线上修饰Pt纳米粒子作为上电极以形成结构为Pt/Si NWs/n-Si/Al的肖特基二极管。研究了无电镀参数（如氯铂酸钾K2PtCl6浓度,无电镀时间）对结构为Pt/Si NWs/n-Si/Al的肖特基二极管电流-电压的影响。从所得的电流-电压特性曲线中提取了肖特基二极管的三个特征参数（理想因子、势垒高度以及串联电阻）,并分析了这三个特征参数与无电镀参数的关系,从而确定了一个制备结构为Pt/Si NWs/n-Si/Al肖特基二极管的理想条件。研究还发现所制备的肖特基二极管理想因子大于1,势垒高度～0.67eV,与金属铂（Pt）的功函数无关,这些特性可以用巴丁模型来解释。
关键词:
硅纳米线
,
肖特基二极管
,
巴丁模型
