郑树文
,
范广涵
,
皮辉
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.12.020
采用第一性原理的平面波超软赝势方法,对β-Ga2O3掺Al的AlxGa2-xO3(x=0,0.5,1,1.5,2)合金进行结构优化、电子态密度和能带特性的研究。结果显示,Alx Ga2-x O3为间接宽能隙材料,能隙是由导带底Ga 4s态和价带顶 O 2p 态共同决定,其弯曲系数分别为0.452 eV(直接)和0.373 eV(间接)。当增大Al的掺杂量,Alx Ga2-x O3的体积变小,总能量升高,能隙逐渐增大,这与实验结果相一致。
关键词:
第一性原理
,
β-Ga2O3
,
Al掺杂
,
电子结构
,
能带特性
汪梅婷
,
武校刚
,
童凯
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2011.04.012
根据介质的光弹效应,采用有限元法对二维光子晶体的能带特性进行分析.给二维光子晶体施加应力时,由于构成二维光子晶体介质的光弹效应,引起介质的折射率变化,使得光子晶体的能带结构发生变化.详细分析了外加应力变化对基于Si/SiO2二维光子晶体能带结构特性的影响,结果表明,禁带的起始波长、截止波长及禁带宽度的变化量与外加应力呈线性关系.
关键词:
光电子学
,
能带特性
,
有限元法
,
二维光子晶体
,
光弹效应
,
应力
