吴春瑜
,
沈桂芬
,
王颖
,
朱长纯
,
李玉魁
,
白纪彬
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.01.002
在衬底温度400℃条件下对n型(100)单晶硅进行剂量分别为5×1017cm-1和1×1018cm-1的C+注入,经过在1050℃氮气氛下进行60min退火形成β-SiC埋层.通过X射线光电子能谱(XPS),俄歇电子能谱(AES)及付立叶变换红外吸收光谱(FTIR),对所形成的碳化硅埋层进行了测试与分析.结果表明在此条件下,在Si中可以形成一定的SiC埋层,并且C+离子注入硅衬底可以形成β-SiC和α-SiC.SiC埋层主要由非立方相的α-SiC和立方相的β-SiC所构成.
关键词:
SiC
,
离子束合成
,
能量损失谱
