郭兵
,
陈长乐
,
罗超
,
张云婕
,
贺健康
人工晶体学报
采用脉冲激光沉积(PLD)法分别在SrTiO3(100)、LaAlO3 (100)和MgO(100)单晶基片上制备了双层钙钛矿锰氧化物La13Sr17Mn2O7(LSMO)薄膜.X射线衍射谱表明三个样品均沿衬底的晶向择优生长;原子力显微镜显示薄膜表面均光滑致密.采用标准四探针法对薄膜的阻温特性进行了研究,发现SrTiO3 (100)和LaAlO3(100)基片上生长的薄膜呈现出明显的金属-绝缘体转变,转变温度分别为340 K和330 K.而在MgO基片上显示绝缘体态,无金属-绝缘体转变.结合阻温曲线的拟合及薄膜与衬底的晶格失配计算,从薄膜应力和激活能变化的角度分析了样品出现不同阻温特性的内在机制.
关键词:
脉冲激光沉积
,
LSMO薄膜
,
择优取向
,
应力
,
激活能
郑必举
,
胡文
功能材料
通过脉冲激光沉积法首次制备了ZnO/CdO复合薄膜.采用X射线衍射、光致发光和电阻率测量分析了薄膜的结构、光学和电学性能.光致发光谱表明所有ZnO/CdO复合薄膜都具有相同的PL发光峰,保持了未掺杂ZnO的发光特性.同时,复合薄膜的电阻率大大地下降了几个数量级,接近了纯CdO薄膜的电阻率.这可以用Matthiessen公式来解释.与传统掺杂方法相比,制备的ZnO/CdO复合薄膜可同时具有ZnO的发光特性和CdO的电学特性,从而获得单一TCO材料所不具备的性能,满足某些特殊需求.
关键词:
薄膜
,
脉冲激光沉积
,
透明导电氧化物
,
光致发光
王丽
,
石敏
,
周国庆
,
左如忠
,
许育东
,
苏海林
,
伍光
,
于桂洋
,
于涛
金属功能材料
2-2型磁电复合薄膜材料可以实现磁和电的直接转换,具有较大的磁电转换效应,在电子器件中有着广泛的应用前景.本文详细阐述了有关2-2型磁电复合薄膜的制备及其在铁电、铁磁性能以及磁电祸合效应研究方面的最新进展,并提出了目前磁电复合薄膜研究中存在的问题和进一步的研究方向.
关键词:
复合薄膜
,
脉冲激光沉积
,
射频磁控溅射
,
溶胶-凝胶
王卫
,
李承祥
,
盛六四
,
张国斌
,
王淑芬
材料导报
脉冲激光沉积(PLD)技术是一门新兴的薄膜制备技术,在无机薄膜的制备和研究方面取得了令人满意的成果,技术也比较成熟.但利用脉冲激光沉积技术制备和研究有机膜方面的工作开展较晚,工作也比较少,尚未形成一个比较系统的体系.因此开展有机薄膜的脉冲激光沉积研究将具有重要的意义.
关键词:
脉冲激光沉积
,
有机薄膜
,
有机杂化膜
,
复合薄膜
李德红
,
刘兴钊
,
何世明
,
陆清芳
,
李言荣
,
张鹰
,
申妍华
,
陈家俊
功能材料
采用脉冲激光沉积技术,在(100)LaAlO3单晶基片上生长SrTiO3/Y1Ba2Cu3O7-x(STO/YBCO)多层薄膜.XRD分析表明:YBCO薄膜和STO薄膜均为C轴取向,STO(002)/YBCO(006)衍射峰摇摆曲线半高宽为0.73°.AFM分析表明,STO/YBCO多层薄膜表面平整、均匀,在77K,100kHz的测试条件下,STO薄膜介电损耗tgδ＜10-2,在53.6kV/cm电场作用下,介电常数的相对变化为38%.
关键词:
STO
,
铁电薄膜
,
脉冲激光沉积
,
界面势垒
苏凤莲
,
彭观良
,
邹军
,
宋词
,
杭寅
,
徐军
,
周圣明
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.01.024
用脉冲激光沉积法(PLD)在MgO(100)、α-Al2O3(0001)和MgAl2O4(111)衬底上沉积了ZnO薄膜,测量了它们的发射光谱,观察到430nm的蓝光发射,并研究了退火、衬底和激发波长对ZnO薄膜这一蓝光发射的影响.指出ZnO薄膜中430nm的蓝光发射是由锌填隙原子缺陷能级到价带顶能级间的跃迁以及电子从氧空位浅施主能级到价带顶能级间的跃迁两种机理共同作用的结果.在MgO衬底上沉积的ZnO薄膜在350nm光激发下蓝光发射峰最强.
关键词:
ZnO薄膜
,
脉冲激光沉积
,
退火
,
蓝光发射
张效华
,
辛凤
,
胡跃辉
,
杨丰
,
陈义川
人工晶体学报
采用固相反应法合成具有焦绿石立方结构的Bi1.5ZnNb1.507(BZN)陶瓷靶材,采用脉冲激光沉积法在Pt/SiO2/Si(100)基片上制备立方BZN薄膜.研究了沉积氧压的变化对薄膜的结晶性能,微观形貌以及介电性能的影响.结果表明:沉积的BZN薄膜都呈现出立方焦绿石单相结构,但是薄膜的取向随氧压变化而变化.当沉积氧压为10Pa时,薄膜的(222)晶面拥有最强的择优取向.随着氧压的升高,BZN薄膜的介电常数明显降低.在10 Pa氧压下沉积的BZN薄膜展示出介电可调特性为5％ (500 kV/cm).
关键词:
Bi1.5ZnNb1.5O7薄膜
,
脉冲激光沉积
,
微结构
,
介电性能
赵鸿滨
,
屠海令
,
杜军
,
张心强
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2012.04.012
采用脉冲激光技术在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上沉积了非晶La2O3薄膜,制作并分析了Pt/La2 O3/Pt堆栈层的直流电压与脉冲电压诱导的电阻转变特性.Pt/La2O3/Pt器件单元表现出了稳定的双极性电阻转变,其高低阻态比大于两个数量级.经过大于1.8×106s的读电压,高低阻态的电阻值没有明显的变化,表现出了良好的数据保持能力.通过研究高低阻态的电流电压关系、电阻值与器件面积的关系,揭示了导电细丝的形成和破灭机制是导致Pt/La2O3/Pt器件发生电阻转变现象的主要原因.
关键词:
氧化镧
,
电阻转变
,
非易失性
,
脉冲激光沉积
王金斌
,
张灿云
,
钟向丽
,
杨国伟
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.05.003
由于氮化硼特别是立方氮化硼(c-BN)的独特性质和广泛的应用前景,一直受到材料研究工作者的广泛关注.本研究利用脉冲激光在室温下沉积出立方氮化硼薄膜,傅立叶变换红外光谱和X射线衍射分析表明在所制备的氮化硼薄膜中,立方相的含量很高;同时,该研究还观察到了氮化硼的另一种高压相-爆炸结构氮化硼(Explosive-BN,E-BN).本研究同时还讨论了氮化硼薄膜生长的原理.
关键词:
脉冲激光沉积
,
室温
,
立方氮化硼
,
爆炸结构氮化硼
葛水兵
,
程珊华
,
宁兆元
,
沈明荣
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2000.02.022
利用脉冲激光法制备了ZnO:Al 透明导电膜.通过对膜进行霍尔系数测量及SEM、XRD测试分析,详细研究了靶材中的化学配比(掺杂比)对膜的透射比和电阻率的影响.结果表明:掺杂比、氧分压强影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况.从电学分析看出:掺杂比从0. 75%增至1.5%过程中,膜的载流子浓度、透射比(在波长大于500 nm的范围)和光隙能相应增大.在氧分压强为0 Pa、掺杂比为1.5%左右时沉积的膜,其电阻率达到最小,其值为7.1 ×10-4Ω·cm,且在可见光区其透射比超过了90%.
关键词:
脉冲激光沉积
,
ZnO膜
,
掺杂比
,
氧分压
