刘彦松
,
王连卫
,
李伟群
,
黄继颇
,
林成鲁
功能材料
采用脉冲激光淀积(PLD)法在单晶Si(100)衬底上淀积了ZnO薄膜.XRD、TEM和AFM分析表明,淀积的ZnO薄膜具有良好的c轴取向性和表面平整度.通过改变淀积气氛或在纯氧中高温退火,ZnO薄膜的电阻率提高到107Ω@cm.这些结果表明,用PLD法淀积的ZnO薄膜能够满足声表面波(SAW)器件的需要.
关键词:
脉冲激光淀积
,
氧化锌
,
压电性
,
声表面波
孙柏
,
李锐鹏
,
赵朝阳
,
徐彭寿
,
张国斌
,
潘国强
,
陈秀芳
,
徐现刚
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00753
利用脉冲激光淀积(PLD)技术在6H-SiC单晶衬底上制备了ZnO薄膜. 利用X射线衍射(XRD), 反射式高能电子衍射(RHEED)和同步辐射掠入射X射线衍射(SRGID)φ扫描等实验技术研究了ZnO薄膜的结构. 结果表明:在单晶6H-SiC衬底上制备的ZnO薄膜已经达到单晶水平, 不同入射角的SRGID结果, 显示了ZnO薄膜内部不同深度处a方向的晶格弛豫是不一致的, 从接近衬底界面处到薄膜的中间部分再到薄膜的表面处, a方向的晶格常数分别为0.3264、0.3272和0.3223nm. 通过计算得到ZnO薄膜的泊松比为0.504, ZnO薄膜与单晶6H-SiC衬底在平行于衬底表面a轴方向的实际晶格失配度为5.84%.
关键词:
脉冲激光淀积
,
ZnO
,
SiC
,
X-ray grazing incidence diffraction
于琳
,
韩新海
,
王冠中
,
揭建胜
,
廖源
,
余庆选
,
方容川
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2004.01.012
本文采用脉冲激光淀积方法(PLD)制备了MgF2光学薄膜,并对其表面形貌以及光学性质进行了测试分析,X射线光电子能谱分析显示MgF2样品具有很好的化学组分配比,F/Mg原子比在1.9～2.1之间,接近于体材料;在可见光波段其光学透过率为60%～80%,在红外波段更是达到了90%以上,由KK变换计算MgF2的折射率大约为1.39,也接近于体材料的折射率1.38.
关键词:
薄膜光学
,
脉冲激光淀积
,
MgF2薄膜
,
透过率
陈同来
,
李效民
,
张霞
,
高相东
,
于伟东
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.06.033
研究了脉冲激光淀积MgO薄膜的过程中,制备工艺参数对薄膜结晶性的影响.研究发现,MgO薄膜的结晶性主要受控于衬底温度和激光能量密度,而薄膜的生长速率则依赖于脉冲频率、衬底与靶材间的距离以及激光能量密度.通过对比不同靶材,即金属Mg靶和烧结陶瓷MgO靶,对薄膜结晶性的影响,发现通过添加一层TiN籽晶层可以显著改善薄膜的结晶质量.最后在优化的制备工艺参数:衬底温度Ts=873K,激光能量密度DE=7J/cm2,靶材与衬底间距离DsT=70mm,激光脉冲频率FL=5Hz以及采用烧结陶瓷MgO靶材和添加TiN籽晶层的情况下,获得层状生长模式和表面具有原子级平整度的MgO薄膜.
关键词:
脉冲激光淀积
,
MgO薄膜
,
硅衬底
,
RHEED
孙柏
,
邹崇文
,
刘忠良
,
徐彭寿
,
张国斌
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.04.039
在不同的衬底温度下,通过脉冲激光淀积的方法在Si衬底上生长出c轴高度取向的ZnO薄膜.ZnO薄膜的结构和表面形貌通过X射线衍射和原子力显微镜表征.同时以He-Cd激光和同步辐射作为激发源来测试样品的发光特性.实验结果表明,在衬底温度为500℃时生长的ZnO薄膜具有非常好的晶体质量,并且表现出很强的紫外发射.在用同步辐射为激发源的低温(18K)光致发光谱中,还观察到了一个位于430nm处的紫光发射,我们认为这个紫光发射与存在于晶粒间界的界面势阱所引起的缺陷态有关,这个势阱可能起源于Zn填隙(Zni).
关键词:
ZnO
,
脉冲激光淀积
,
光致发光
,
同步辐射
孙柏
,
赵朝阳
,
徐彭寿
,
张国斌
,
韦世强
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324x.2007.05.027
利用脉冲激光淀积的方法在Si衬底上生长出了c轴高度取向的ZnO和Zn0.9Mno.1O薄膜.光致发光结果显示了Mn的掺杂引起了薄膜的带边发射蓝移,强度减弱,紫光发射几乎消失,但绿光发射增强.利用X射线衍射,X射线吸收精细结构和X射线光电子能谱等实验技术对Mn掺杂的ZnO薄膜的结构及其对光学性质影响进行了研究.结果表明:Mn掺入到ZnO薄膜中形成了Zn0.9Mn0.1O合金薄膜,Mn以+2价的价态存在,这就导致了掺Mn以后的薄膜带隙变大,在发光谱中表现为带边发射的蓝移.同时由于掺入的Mn与薄膜中的填隙Zn反应,导致薄膜的结晶性变差,薄膜中的填隙Zn减少,O空位增多,引起带边发射和紫光发射减弱,绿光发射增强.
关键词:
ZnO
,
脉冲激光淀积
,
XAFS
,
XPS
,
光致发光
孙柏
,
李锐鹏
,
赵朝阳
,
徐彭寿
,
张国斌
,
潘国强
,
陈秀芳
,
徐现刚
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.04.024
利用脉冲激光淀积(PLD)技术在6H-SiC单晶衬底上制备了ZnO薄膜.利用X射线衍射(XRD),反射式高能电子衍射(RHEED)和同步辐射掠入射X射线衍射(SRGID)φ扫描等实验技术研究了ZnO薄膜的结构.结果表明:在单晶6H-SiC衬底上制备的ZnO薄膜已经达到单晶水平,不同入射角的SRGID结果,显示了ZnO薄膜内部不同深度处α方向的晶格弛豫是不一致的,从接近衬底界面处到薄膜的中间部分再到薄膜的表面处,α方向的晶格常数分别为0.3264、0.3272和0.3223nm.通过计算得到ZnO薄膜的泊松比为0.504,ZnO薄膜与单晶6H-SiC衬底在平行丁衬底表面α轴方向的实际晶格失配度为5.84%.
关键词:
脉冲激光淀积
,
氧化锌
,
碳化硅
,
掠入射X射线衍射
朱敏
,
殷江
,
刘治国
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2000.04.011
用紫外脉冲激光淀积方法在Pt／TiO2／SiO2／Si(001)衬底上制备了La1-xSrxCoO3／Pb(Ta0.05Zr0.48Ti0.47)O3(PTZT)／La1-xSrxCoO3异质结构薄膜。发现底电极La0.25Sr0.75CoO3可以诱导PTZT薄膜沿(001)方向取向生长。在500kHz和5V的工作电压下铁电电容器La0.25Sr0.75CoO3/PTZT／La0.25Sr0.75CoO3经过5×1010次反转之后，仍保持其初始电极化的96％。此异质结构横截面的扫描电镜照片表明界面上没有明显的因化学反应导致的第二相存在。
关键词:
脉冲激光淀积
,
铁电薄膜
,
疲劳特性
