沈长斌
,
杨怀玉
,
王胜刚
,
龙康
,
王福会
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2008.06.010
研究了在稀硫酸溶液中添加硫脲(TU)对块体纳米晶工业纯铁(BNII)室温电化学腐蚀行为的影响,并与普通工业纯铁(CPII)的室温电化学腐蚀行为进行了比较.结果表明:将CPII在添加TU的稀硫酸溶液中浸泡5 min,其电化学阻抗(EIS)谱图中出现感抗弧.随着浸泡时间的延长,CPII的EIS谱图表现为一非圆心下偏的半圆;而在相同的条件下,BNII的EIS谱图表现为两个时间常数的容抗弧,表明硫脲对其腐蚀行为有促进作用.动电位极化(PDP)测试结果表明,两种材料的样品均出现阳极脱附现象.
关键词:
材料失效与保护
,
块体纳米晶工业纯铁(BNII)
,
硫脲(TU)
,
脱附现象
