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CdZnTe材料(111)B和(211)B面上位错腐蚀坑密度的差异

顾惠明 , 杨建荣 , 陈新强 , 何力

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.02.012

用Everson腐蚀剂对CdZnTe晶体(111)B和(211)B面上的位错进行了腐蚀和观察,发现(111)B面上的腐蚀坑密度(EPD)值明显高于(211)B面上的EPD值,(111)B面上的EPD值与双晶衍射半峰宽有明显的依赖关系,(111)B面上的FWHM值随EPD的增加而增加.而(211)B面上的EPD则与材料的双晶衍射半峰宽无关.研究结果表明,用Everson腐蚀剂得到的EPD参数依赖于材料的晶体取向,在两种常用的晶体学取向中,(111)B面上得到的EPD能较为正确的反映CdZnTe材料中的位错密度.

关键词: CdZnTe , 位错 , 腐蚀法 , 布里奇曼法 , 衬底材料

SiC量子点荧光材料光谱特性影响因素的研究

朱彦敏 , 宋月鹏 , 康杰 , 高东升 , 毛志泉 , KIM Hyoungseop

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.04.016

通过腐蚀法制备SiC量子点荧光标记材料，以硝酸和氢氟酸为腐蚀剂，通过超声空化破碎分散及超重力场层析剪裁，得到SiC量子点水相溶液，研究了制备工艺参数对光学特性的影响，结果表明，降酸清洗次数、超声时长对量子点光致发光峰值(荧光强度)的影响最为显著，而腐蚀剂成分及配比、超重力系数在一定程度上影响了其光致发光强度及发射光波长，同时腐蚀剂成分中氢氟酸含量的增加使得光致发光峰值位置发生红移，而超声时长及超重力系数的增加使得SiC量子点光致发光峰值位置发生蓝移。并对 SiC颗粒腐蚀过程相关机制也进行了探讨。

关键词: SiC量子点 , 腐蚀法 , 工艺参数 , 光谱特征

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