张猛
,
夏之荷
,
周玮
,
陈荣盛
,
王文
,
郭海成
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153002.0187
研究了搭桥晶粒(BG)多晶硅薄膜晶体管(TFT)在直流电应力下的退化行为和退化机制。与普通多晶硅 TFT 相比,BG 多晶硅 TFT 展现出更好的直流应力可靠性。主要体现在 BG 多晶硅 TFT 拥有更好的直流负偏压温度不稳定性(NBTI)可靠性,更好的直流自加热(SH)可靠性,更好的直流热载流子(HC)可靠性。有源沟道区的 BG 结构是上述直流应力可靠性提高的主要原因。更好的 NBTI 的可靠性主要源于沟道内的硼氢键的形成；更好的 SH 可靠性主要源于在沟道长度方向上更快的焦耳热扩散率；更好的 HC 可靠性主要源于漏端横向电场(E x )的减弱。所有的测试结果都表明,这种高性能高可靠性的 BG 多晶硅 TFT 在片上系统中具有很大的应用前景。
关键词:
搭桥晶粒
,
多晶硅
,
薄膜晶体管
,
负偏压温度不稳定性
,
自加热
,
热载流子
