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掺杂晶体Cr3+∶MgAl2O4晶格畸变及基态自旋哈密顿参量的理论研究

杨子元 , 王俊忠 , 段绪朝

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.03.006

用自旋Hamilton理论和Newman的晶场叠加模型研究了Cr3+∶MgAl2O4晶体结构与自旋哈密顿(SH)参量之间的定量关系;在此基础上,计算了Cr3+∶MgAl2O4晶体的SH参量(D,g)及精细光谱,计算结果与观测一致.定量的研究结果表明,Cr3+离子掺入MgAl2O4晶体后,络离子(CrO6)9-的局域结构产生了一个压缩三角畸变(Δθ=2.729°).理论研究还表明,自旋二重态对零场分裂(ZSF)参量D的贡献大约为16%左右,而对g因子的贡献不足1%.这表明,用ZSF参量研究晶格畸变时,自旋二重态的贡献不可忽略.

关键词: Cr3+∶MgAl2O4晶体 , 晶体畸变 , 自旋哈密顿参量 , 精细光谱

晶体(ZnKPO4.6H2O)∶VO2+的自旋哈密顿参数及局域结构

涂超 , 谢林华 , 杜香容

人工晶体学报

基于晶体场理论和电荷转移机制,采用双旋-轨耦合参量模型的3d1离子在D4h对称的晶场中自旋哈密顿参量的高阶微扰公式和晶场能级公式,计算了(ZnKPO4·6H2O)∶ VO2+晶体的光吸收谱和自旋哈密顿参量.本文不仅考虑了晶场机制,同时也考虑了电荷转移机制.计算结果与实验数据是一致的.说明电荷转移机制对(ZnKPO4·6H2O)∶VO2+晶体的自旋哈密顿参量的结果有不可忽略的作用.

关键词: 自旋哈密顿参量 , 晶体场理论 , 电荷转移机制 , (ZnKPO4·6H2O)∶ VO2+

Al2O3:V2+晶体自旋哈密顿参量的理论解释

魏群

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.02.005

在考虑微小磁相互作用(包括SS、SOO和OO作用)的基础上,采用全组态完全对角化方法,建立了Al2O3晶体中V2+离子的局域结构与自旋哈密顿参量定量关系,对Al2O3:V2+晶体基态和激发态零场分裂以及基态g因子等自旋哈密顿(SH)参量给出了统一的解释.结果表明,V2+离子进入Al2O3晶体后,上下配体氧平面分别沿C3轴向远离三角中心的方向移动了0.0021nm和0.0020nm.理论计算结果与实验值符合甚好.

关键词: Al2O3:V2+晶体 , 自旋哈密顿参量 , 局域结构

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