高卫东
,
田光磊
,
范正修
,
邵建达
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2005.03.002
作为微电子和光电子系统中普遍使用的一种结构材料,单晶硅一直是人们研究的焦点.长期以来,人们对其电学性质进行了非常深入细致的研究,却疏于对其抗击强激光辐照特性的研究.随着激光通讯和光电对抗技术的发展,对光学材料的激光破坏特性和加固技术进行研究的需求也显得越来越迫切.本文主要对单晶硅的抗激光损伤特性进行研究,研究了单晶硅材料在1064nm Nd:YAG激光自由脉冲输出模式和单脉冲输出模式作用下的损伤特性,通过对两种激光作用下单晶硅损伤形貌的分析,在热效应与热力耦合模型的基础上,对单晶硅的激光损伤机制进行了探索.
关键词:
激光损伤
,
单晶硅
,
单脉冲激光
,
自由振荡激光
