王秀清
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2010.02.020
采用线性组合算符法和幺正变换方法,研究极性晶体膜中束缚磁极化子的自陷能随膜厚d的变化关系.得出束缚磁极化子的自陷能由两部分组成:第一部分是由于电子-体LO声子相互作用所引起的(E_e~(tr)-LO),第二部分则是电子-SO声子相互作用引起的.后者又包含两部分,分别是电子与极性膜中两支表面声子相互作用的贡献(E_e~(tr)-SO(+),E_e~(tr)-SO(-)).通过对KCl半导体膜的数值计算表明,E_e~(tr)-ph和磁极化子的振动频率λ随膜厚d的增加而减少;当膜厚大于5 nm时,总自陷能 E_e~(tr)-ph 趋于一稳定值.另外,由于稳恒磁场的存在,使磁极化子的自陷能增大,这主要是由于稳恒磁场的存在,使电子-声子间的相互作用改变而引起的.
关键词:
光电子学
,
束缚磁极化子
,
线性组合算符
,
自陷能
