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离子注入对纳米Si3N4结构的影响

涂鲜花 , 李道火 , 赵华珍 , 詹明生

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2001.02.029

通过FT-IR、XPS和荧光光谱研究了离子注入对纳米Si3N4结构的影响.发现离子注入改变了材料中游离硅(a-Si)的结构,使其变成了SiNn(n=1,2).荧光谱研究表明纳米Si3N4具有明显的量子限制效应,并且荧光峰的位置和强度存在不稳定性.根据实验结果给出了纳米Si3N4的能级结构图.

关键词: 量子限制效应 , 荧光不稳定 , 离子注入 , 纳米Si3N4