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Mg2+离子对Sr2Al2SiO7∶Eu2+荧光体微结构及发光性能的影响

蒙延双 , 王达健 , 武浚 , 刘会基 , 巨少华

功能材料

采用复合胶体喷雾工艺制备了Sr2Al2SiO7∶Eu2+荧光体及掺入Mg离子后Sr2-xMgxAl2SiO7∶Eu2+(x=0.1, 0.2, 0.4, 0.6, 0.8, 1.0)荧光体.XRD分析及晶格常数计算结果表明,Eu2+离子部分取代Sr2+格位进入Sr2Al2SiO7晶格.Sr2Al2SiO7∶Eu2+荧光体激发谱由峰值位于326nm附近的宽带构成,属于Eu2+的4f→5d 跃迁吸收带;发射光谱主峰位于约500nm,属于Eu2+离子4f65d→4f7跃迁导致的宽带发射.XRD结果表明Mg2+添加浓度从x=0.1~1.0增加,Mg2+离子以取代离子形式进入Sr2Al2SiO7晶格.Mg2+离子添加浓度x=0.1时对Sr2Al2SiO7∶Eu2+发射光谱影响不大,Sr1.9Mg0.1Al2SiO7∶Eu2+0.02发射主峰仍位于500nm;x>0.2后,Mg2+离子取代Sr2+离子使晶体场强度减弱,Eu2+离子5d能级晶场劈裂减小,导致Sr2-xMgxAl2SiO7∶Eu2+发射峰蓝移至460nm.

关键词: 荧光体 , Sr2Al2SiO7∶Eu2+ , Mg2+离子 , 微结构与光谱

Ba2+离子对Sr2Al2SiO7:Eu2+荧光体微结构及发光性能的影响

蒙延双 , 朱福良 , 王达健

功能材料

采用复合胶体喷雾工艺制备了Ba2+离子掺杂的Sr2-xBaxAl2SiO7:Eu2+(x=0、0.1、0.2、0.4)荧光体.研究了Ba2+离子在基质Sr2Al2SiO7中的取代位置和机理,分析了Ba2+离子取代Sr2+离子对基质微结构及Sr2Al2SiO7:Eu2+荧光体发光性能的影响.XRD结果表明Ba2+离子取代Sr2+格位进入Sr2Al2SiO7晶格,导致晶胞体积增大.进入Sr2Al2SiO7晶格的Ba2+离子由于电负性较大,处在其周围的Eu2+离子外层电子受Ba2+离子影响,电子云膨胀,使发光波长发生红移.同时,掺入Ba2+离子后Sr2-xBaxAl2SiO7晶场强度增强,晶体场对Eu2+离子5d能级的劈裂程度增大,劈裂重心下降.Ba2+离子掺杂的Sr2-xBaxAl2SiO7:Eu2+(x=0、0.1、0.2、0.4)荧光体发射主峰位于520nm,与未掺杂Sr2Al2SiO7:Eu0.022+荧光体的发射峰相比出现红移.

关键词: 荧光体 , Sr2Al2SiO7:Eu2+ , Ba2+离子 , 微结构与光谱

(Ce0.67Tb0.33)MgAl11O19和BaMgAl10O17:Eu2+荧光体的微波辐射合成及其发光性能

戴德昌 , 李沅英 , 蔡少华 , 谢驭洲 , 何汉波

中国稀土学报

用微波辐射法合成了(Ce0.67Tb0.33)MgAl11O19(P-G)和BaMgAl10O17(P-B)两种荧光体, 经X射线粉末衍射分析, 其d值和I/I0值与JCPDF36-73和26-163基本一致. 计算得到P-G的晶胞参数a=0.5582 nm, c=2.1884 nm; P-B的晶胞参数a=0.5616 nm, c=2.2614 nm. 测定了两种荧光体的激发光谱和发射光谱. P-G的色坐标x=0.316, y=0.565; P-B的色坐标x=0.156, y=0.106. 与市售同类荧光粉相比, P-G的相对发光强度为88%, P-B的相对发光强度为80%.

关键词: 稀土 , 微波合成 , 多铝酸盐 , 荧光体

Y2O3-SiO2∶Eu3+,Bi3+荧光材料的结构及性能研究

彭绍琴 , 李越湘 , 刘光华

稀土 doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2001.05.018

用溶胶-凝胶法(Sol-gel法)低温合成了Y2O3-Si O2∶Eu3+,Bi3+红色发光粉.X射线实验研究发现,850℃时,样品晶体结构为Y2SiO5,属单斜晶系(a=9.012,b=0.979,c=6.630),空间点群为PI1/C ;SEM实验显示发光体为不规则片层结构;粒度分析表明:发光体粒度分布均匀,平均粒度为0.79μm;T≥600℃时,发光体出现温度猝灭现象.

关键词: Y2O3-SiO2 , Eu3+ , Bi3+ , 荧光体

稀土发光材料Ca3((P,V)O4)2:Eu3+的合成和性质

周小春 , 钟路平 , 刘秋平 , 陈红梅

材料导报

采用燃烧法合成了系列稀土Ca3(P,V)O4)2:Eu3+发光材料,用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光分光光度计等对合成产物进行了分析和表征.结果表明,合成的Ca3((P,V)O4)2:Eu3+荧光粉的颗粒很特殊,呈现长2.5μm、宽1μm的方形,在274nm近紫外光激发下,特别显示发射主峰位于616.0nm的宽峰,是一种良好的红色荧光粉.

关键词: 燃烧法 , Ca3((P , V)O4)2:Eu2+ , 荧光体 , 方块形

真空紫外光激发下铕掺杂的硼酸盐发光特性与结构的关系

王灵利 , 王育华

中国稀土学报

为了改进现有或开发新的PDP用荧光材料,必须考虑荧光材料的发光性质,如吸收峰位置、能量由基质到发光中心的传递效率、色纯度、发光强度等,而这些性质与荧光材料的结构有着紧密的联系.在研究了多种三价铕掺杂的硼酸盐荧光材料的基础上,比较了它们在真空紫外光激发下的吸收特性,定性讨论了能量从基质到发光中心的传递效率,分析了影响红色荧光材料色纯度的有关性质.

关键词: PDP , VUV , 硼酸盐 , 荧光体 , 稀土

CaSiO3:Mn,Pb-B2O3系化合物的合成及其UV和VUV发光特性

张稚雅 , 王育华

功能材料

以CaSiO3-B2O3系化合物为研究对象、Mn作为发光中心,探索了其作为高亮度发光材料的可能性.用高温固相法于1150℃、3h、N2气氛下合成了CaSiO3:0.066Mn,0.008Pb-B2O3系列单相粉末样品并研究了其发光特性.结果表明,当B/(B+Si)质量比≤0.3时样品为β-CaSiO3单相,随着B2O3含量的变化,没有观察到X射线住置的明显变化,这说明B的固容量有限.当B/(B+Si)质量比>0.3时发现有杂质相.在254nm激发下,观察到最大强度位于617nm的红色发射峰且B/(B+Si)质量比=0.3时达到最大.147nm真空紫外激发下的发射峰和紫外激发下的一致,发射强度也在B/(B+Si)质量比=0.3时达到最大;617nm监控下的VUV激发光谱由峰值位于185和253nm的两个激发带构成,分别归属于基质吸收和激活离子激发.

关键词: β-CaSiO3 , UV/VUV , 荧光体

共沉淀-热处理工艺合成YAG:Ce3+荧光粉的研究

蒋继峰 , 周少华 , 张朋越 , 洪樟连

稀有金属材料与工程

采用共沉淀法制各Y3Al5O12:Ce3+(YAG:Ce3+)荧光体前驱粉末,采用差热分析(DTA)、傅里叶红外(FT-IR)、X-射线衍射(XRD)和荧光光谱(PL)等测试分析手段,对凝胶经不同温度烧成的Y3Al5O12:Ce3+荧光粉的成相过程、晶体结构及其发光性能进行了测试与分析.DTA和XRD结果表明,经1200℃煅烧后,凝胶转变为单相性良好的YAG立方相,空间群为Ia3d(230).PL谱测试结果表明,煅烧热处理获得的YAG:Ce3+荧光粉的激发光谱由2个主峰位于340nm和469 nm的激发峰组成,分别对应于2F5/2→5D和2F7/2→5D的跃迁;发射谱主峰位于537 nm,属于Ce3+的5d→4f特征跃迁发射.不同Ce掺杂浓度的YAG:Ce3+荧光粉的发光性能研究结果表明,随着Ce掺杂浓度增加,荧光粉发光强度先增加后减小,呈现浓度淬灭现象,当x=0.06时,发光强度达到最大值.

关键词: YAG:Ce , 荧光体 , 共沉淀法

无机显示荧光体研究动态和进展

李文连

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2000.03.008

叙述了用于平板显示的无机荧光体的激发和发光基本性能以及存在的问题.对各种荧光体的性能进行了比较,并对显示应用中存在的问题提出了解决的方法;对无机显示荧光体在显示应用中的现状及进展进行了评论.

关键词: 荧光体 , 显示 , 无机发光材料

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