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MOVPE生长的GaN基蓝色与绿色LED

陆大成 , 刘祥林 , 韩培德 , 王晓晖 , 汪度 , 袁海荣

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2001.01.001

报道用自行研制的LP-MOVPE设备，在蓝宝石（α-Al2O3）衬底上生长出以InGaN为有源区的蓝光和绿光InGaN/AlGaN双异质结结构以及InGaN/GaN量子阱结构的LED，其发射波长分别为430～450nm和520～540nm。

关键词: GaN , InGaN , AlGaN , 双异质结 , 量子阱 , 蓝光LED , 绿光LED , MOVPE

高亮度GaN基蓝光与白光LED的研究和进展

刘坚斌 , 李培咸 , 郝跃

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.05.001

GaN基蓝光LED高亮度化对传统照明光源带来了很大冲击.简述了GaN材料和GaN基蓝光LED器件结构的发展,阐述了为了改善LED性能的一些新措施、LED在照明光源上的应用优势,给出了白光LED的常用制备方法以及最新的研究成果.最后,提出了需要着重解决的问题.

关键词: 光电子学 , 半导体材料 , GaN , 蓝光LED , 白光LED

（Bi0.5Na0.5）TiO3：Sm3+无铅压电陶瓷的红光发射特性

孙海勤 , 张涛 , 张奇伟 , 张胤

无机材料学报 doi:10.15541/jim20130599

采用传统的固相反应烧结方法制备了稀土Sm3+掺杂的(Bi0.5Na0.5)TiO3无铅压电陶瓷。系统分析了掺杂浓度、烧结温度和离子补偿对发光特性的影响。稀土Sm3+离子的加入实现了(Bi0.5Na0.5)TiO3陶瓷的红绿光发射,其激发光波段位于400~500 nm范围内,与已经成熟的蓝光LED芯片的发射光谱充分匹配。当烧结温度为1100℃, Sm3+离子的掺杂浓度为0.015 mol时,陶瓷样品呈现最强的发光强度。同时,通过Li+、Na+、K+离子进行电荷补偿,有效提高了陶瓷样品的发光性能,发光强度随离子半径增大而增强。可见, Sm3+掺杂的(Bi0.5Na0.5)TiO3材料在光电集成器件中具有很好的应用前景。

关键词: 无铅压电陶瓷 , 蓝光LED , 多功能材料

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