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高亮度GaN基蓝色LED的研究进展

文尚胜

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2003.01.002

超高亮度GaN基蓝色LED的发展将会引起照明技术的一场革命,它是目前全球半导体领域研究和投资的热点.本文综合分析了了GaN材料的特性及相应的材料生长和欧姆接触、刻蚀工艺等关键技术,并对GaN基蓝色LED器件的进一步改进及应用前景作了展望.

关键词: GaN , 蓝色LED , 欧姆接触 , 刻蚀