于琳
,
韩新海
,
王冠中
,
揭建胜
,
廖源
,
余庆选
,
方容川
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2004.01.012
本文采用脉冲激光淀积方法(PLD)制备了MgF2光学薄膜,并对其表面形貌以及光学性质进行了测试分析,X射线光电子能谱分析显示MgF2样品具有很好的化学组分配比,F/Mg原子比在1.9～2.1之间,接近于体材料;在可见光波段其光学透过率为60%～80%,在红外波段更是达到了90%以上,由KK变换计算MgF2的折射率大约为1.39,也接近于体材料的折射率1.38.
关键词:
薄膜光学
,
脉冲激光淀积
,
MgF2薄膜
,
透过率
杨国桢
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2004.02.008
用激光分子束外延,原子尺度控制的外延生长出多种钙钛矿氧化物薄膜和异质结.原子力星微镜和高分辨透射电镜测量结果表明,薄膜与异质结的表面和界面均达到原子尺度的光滑.制备出在可见光波段透过率大于85%的导电氧化物薄膜;物性研究结果表明,随着含氧量的不同,BaTiO3薄膜具有绝缘体、半导体和导体的不同特性.BaTiO3/SrTiO3超晶格的光学非线性效应比BaTiO3体材增大23倍.首次在La0.9St0.1MnO3/SrNb0.01Ti0.99O3(LSMO/SNTO)异质结上,观测到全氧化物p-n结电流和电压的磁调制与正磁电阻效应.在255 K条件下,当外加磁场分别为5和1000 Oe时,LSMO/SNTO p-n结的磁电阻变化率R/R0达到:46.7%和83.4%;在外加磁场为3T时,在100K条件下,在LSMO/SNTO多层p-n异质结上观测515%的正磁电阻变化率.
关键词:
薄膜光学
,
钙钛矿氧化物
,
薄膜
,
异质结
李述体
,
江风益
,
范广涵
,
王立
,
莫春兰
,
方文卿
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2004.03.017
采用卢瑟福背散射/沟道技术,X射线双晶衍射技术和光致发光技术对几个以MOCVD技术生长的蓝带发光差异明显的未掺杂GaN外延膜和GaN:Mg外延膜进行了测试.结果表明,未掺杂GaN薄膜中出现的2.9 eV左右的蓝带发光与薄膜的结晶品质密切相关.随未掺杂GaN的蓝带强度与带边强度之比增大,GaN的卢瑟福背散射/沟道谱最低产额增大,X射线双晶衍射峰半高宽增大.未掺杂GaN薄膜的蓝带发光与薄膜中的某种本征缺陷有关.研究还表明,未掺杂GaN中出现的蓝带与GaN:Mg外延膜中出现的2.9 eV左右的发光峰的发光机理不同.
关键词:
薄膜光学
,
GaN
,
卢瑟福背散射/沟道
,
X射线双晶衍射
,
光致发光
金运姜
,
余庆选
,
刘书见
,
廖源
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2008.01.009
利用脉冲激光沉积方法(PLD),在Si(100)衬底上生长了银掺杂的氧化锌薄膜(ZnO:Ag),所用的激光波长分别是1064 nm和355 nm.通过x射线衍射分析发现,两种不同激光沉积样品的晶体结构有很大的区别.此外,由1064 nm激光制备的ZnO:Ag薄膜,在氧气中800℃的条件下退火一个小时后,在其光致发光(PL)谱中发现,样品的紫外发光峰强度随薄膜中Ag含量增加而急剧增强,但在同样条件下处理的由355 nm激光制备的薄膜,没有观察到类似现象.经过分析和比较,我们认为这种紫外发光增强的特殊现象,是ZnO:Ag薄膜中的纳米Ag颗粒所引起的局部等离子共振而导致.
关键词:
薄膜光学
,
氧化锌
,
光致发光
,
局部等离子共振
彭东功
,
吴永刚
,
焦宏飞
,
曹鸿
,
张莉
,
郑秀萍
,
付联效
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2008.01.010
在传统遗传算法(GA)基础上,通过引入标准偏差函数构造了新的适应度函数,同时提出了一种自动降温的方法来控制退火选择策略中的温度.将这种改进的实数编码遗传算法(FGA)和单纯型算法(SA)有机结合起来,形成了新的膜系优化算法-实数编码遗传和单纯形混合算法,并编制了优化程序.实例表明该算法优化性能优越,既具有强大全局搜索能力,又能很好地实现局部搜索功能.用该算法实现了中心波长534 nm,带宽35 nm的可见光波段凹陷滤波器和高性能中性分束镜.
关键词:
薄膜光学
,
膜系优化
,
遗传算法
,
单纯型算法
,
凹陷滤波器
,
中性分束镜
周远
,
刘安玲
,
刘光灿
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2011.06.015
高数值孔径(NA)光刻中,需要控制衬底反射率以减小薄膜干涉对光刻性能的影响.采用薄膜光学方法研究了高NA光刻中底层抗反膜(BARC)对衬底反射率的控制.针对硅基底对单层和双层BARC进行优化以探索满足高NA光刻要求的BARC材料光学参数容限.结果表明,当NA超过0.8时,单层BARC无法控制衬底反射率而有必要采用双层BARC.横电(TE)比横磁(TM)偏振光的衬底反射率更难以控制.NA越大,单层BARC折射系数的优化值越大.双层BARC中的顶层膜应采用低吸收率材料而底层膜应采用高吸收率材料.本研究可为高NA光刻中的BARC材料研制及衬底反射率控制提供理论依据.
关键词:
薄膜光学
,
衬底反射率
,
底层抗反膜优化
,
高数值孔径光刻
许春玉
,
史萌
,
闫珂柱
连铸
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2014.06.008
采用脉冲激光沉积(PLD)法在Si(111)衬底上制备稀土Eu3+掺杂的ZnO薄膜材料,分别在纯氧和真空气氛中进行退火处理.XRD图谱中仅观察到尖锐的ZnO(002)衍射峰,表明ZnO∶Eu3+,Li+薄膜具有良好的c轴取向.薄膜的结构参数显示:在纯氧气氛中退火的样品具有较大的晶粒尺寸且应力较小,表明在纯氧中退火的样品具有较好的结晶质量.通过光致发光谱发现,在纯氧中退火的样品的IUV/IDL比值较大,说明在纯氧中退火的样品缺陷去除更充分,结晶质量更好.当用395 nm光激发样品时,仅发现Eu3+位于595 nm附近的5Do→7F1磁偶极跃迁峰.并没有发现Eu3+在613 nm附近的特征波长发射,表明掺杂的Eu3+占据了ZnO基质反演对称中心格位.
关键词:
薄膜光学
,
氧化锌
,
退火
,
应力
,
光致发光
李朋
,
杨振雄
,
赵虎
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2015.03.017
应用一套新的动力学蒙特卡洛方法模拟化学气相沉积生长Cu薄膜,铜原子随机生长在平方(100)同质晶格上.生长包括几个基本的过程:沉积,表面扩散,原子吸附,原子对成核,岛状生长等.薄膜的生长质量被诸如表面熵的一些参数所描述,表面熵是类比信息熵在通信领域的应用所提出的一个新的概念.发现低温和较低的覆盖层数往往伴随着粗糙的膜的表面,直到达到临界温度后不再变化,这些结论和实验的结果相一致.改变了传统的对薄膜粗糙度的定义,同时发现仅仅用粗糙度这个参数描述薄膜表面粗糙情况是不恰当的.最后对比结果解释了提出表面熵这个新概念的合理性.
关键词:
薄膜光学
,
动力学蒙特卡洛方法
,
生长模拟
,
表面粗糙度
,
表面熵
