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包含等离子体辅助沉积参数和离子刻蚀作用过程的结构区域相图

André Anders

中国表面工程 doi:10.11933/j.issn.1007-9289.2016.01.001

文中提出一种扩展的薄膜微观结构的区域相图,可以用其来表征过滤阴极弧以及高功率脉冲磁控溅射镀膜过程中含有大量离子流的动态沉积过程.其坐标轴包括广义同系温度,标量化动能以及可以表征离子刻蚀作用的净膜厚.需要强调的是,由于影响薄膜生长的实际参数要远超相图中有限的坐标轴数,因此该结构区域相图展示的生长条件与薄膜结构之间的关系是近似和简化过的.

关键词: 结构区域相图 , 薄膜制备 , 等离子体辅助 , 离子刻蚀 , 应力 , 形貌 , 同系温度 , 位能与动能

染料敏化太阳能电池中的光电极制备技术

唐笑 , 钱觉时 , 黄佳木

材料导报

从染料敏化太阳能电池(DSC)的结构和原理角度分析了DSC中光电极的作用及技术要求,介绍了目前常用的几种DSC光电极的制备方法,并对这些制备方法的特点进行了讨论.

关键词: 染料敏化 , 太阳能电池 , 光电极 , 纳米晶半导体氧化物 , 薄膜制备

基于超高密度信息存储薄膜制备的研究进展

张秀清 , 潘礼庆 , 蔡莉 , 郭海明 , 申承民 , 高鸿钧

材料导报

信息技术的发展要求存储器件必须具备超高存储密度、超快的存取速率.存储介质是高密度信息存储研究中的基本问题,目前几乎所有的超高密度存储技术都是在薄膜介质上实现的.薄膜的性质除依赖于存储介质材料外还依赖于薄膜的制备技术.从存储介质薄膜的制备角度介绍了超高密度信息存储的研究进展.

关键词: 超高密度信息存储 , 存储介质薄膜 , 薄膜制备 , 扫描探针显微镜

纳米薄膜材料的研究进展

邱成军 , 曹茂盛 , 朱静 , 杨慧静

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2001.04.027

纳米薄膜材料是一种新型材料,由于其特殊的结构特点,使其作为功能材料和结构材料都具有良好的发展前景.本文综述了近几年来国内外对纳米薄膜材料研究的最新进展,包括对该类材料的制备方法、微结构、电、磁、光特性以及力学性能的最新研究成果.

关键词: 纳米薄膜 , 薄膜制备 , 微结构 , 性能

大规模真空蒸镀二氧化钛薄膜及其表征

彭晓光 , 汪洋 , 曹开斌 , 孙法

功能材料

采用大型真空镀膜设备在玻璃基底上蒸镀二氧化钛(TiO2)薄膜,并对TiO2薄膜进行了SEM、AFM、XRD、紫外可见光吸收光谱、亲水性的测试及分析,探讨了退火温度对薄膜性能的影响.结果表明制备的TiO2薄膜具有良好的均匀性.在室温条件下,TiO2薄膜具有无定型的结构;在300~500℃的条件下,TiO2薄膜退火2h后以锐铁矿晶型为主,600℃退火的TiO2薄膜明显向金红石型转变.随退火温度的升高,薄膜对紫外光和可见光的吸收有明显提高,并出现了明显的红移现象.另外,亲水性也随退火温度的升高而变强,500和600℃退火的TiO2薄膜表面出现超亲水性.

关键词: TiO2 , 薄膜制备 , 真空蒸镀 , 亲水性

离子束辅助激光制备织构薄膜的计算机模拟术

邓玉荣 , 刘庆华 , 黄新堂 , 祁守仁 , 王又青

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2001.02.009

在离子束辅助激光制备取向薄膜的物理机制基础上.利用计算机模拟了织构薄膜生长的物理过程结果表明,织构薄膜的质量直接与不同取向晶粒被辅助粒子束溅射掉的几率相关,这在实验中表现为与辅助离子束入射方向、离子束能量、薄膜材料种类等因素有关

关键词: 辅助离子束 , 织构 , 薄膜制备 , 计算机模拟

有机发光材料8-羟基喹啉钕的合成、表征和薄膜制备

邢宏伟 , 彭应全 , 宋长安 , 杨青森 , 李训栓 , 袁建挺

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.02.001

介绍了制备高纯度有机发光材料8-羟基喹啉钕(Ndq3)和生长Ndq3薄膜的方法.通过X-射线衍射谱、红外吸收光谱、紫外吸收光谱以及荧光光谱测试分析,对Ndq3粉末和薄膜的结构和特性进行了表征.标定了Ndq3中喹啉环的存在;计算得出Ndq3的禁带宽度为2.8 eV;证实了Ndq3分子中的Nd-O键为共价键而非离子键;测得Ndq3的荧光发射光谱位于472 nm(蓝光区域);证明了光激发位于喹啉环上而不是金属Nd3+上.与Al和Zn的金属螯合物相比,Ndq3中的Nd3+成键共价键较强,极化力较弱.对不同衬底温度下生长的Ndq3薄膜做了XRD分析,发现Ndq3薄膜呈多晶态,且随温度升高,衍射单峰逐渐增强,显示Ndq3薄膜的结晶性能随衬底温度的升高变好,结晶晶粒尺度也随着衬底温度的升高逐渐变大,薄膜表面形貌更加均匀.

关键词: 有机发光材料 , 8-羟基喹啉钕 , 薄膜制备 , 性能表征

氮化铟薄膜的p型掺杂和铁磁性研究进展

李允怡 , 王伟 , 刘志军 , 龚威 , 解其云

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2017.07.008

Ⅲ族氮化物半导体材料(InN、GaN、AlN)由于能带结构的特殊性,使其在光电器件与微波等领域得到广泛应用.其中,研究和发展InN材料及器件已被公认是占领光电信息技术领域战略至高点的重要途径,InN材料的p型导电以及室温铁磁性研究更是成为Ⅲ族氮化物中新颖的研究课题.首先简单介绍InN的晶体结构和制备方法,并分析其目前所遇到的挑战,然后重点阐述国际上关于InN在p型掺杂以及铁磁性领域的研究进展,同时介绍本课题组在该方面的研究,最后进行了简要总结和展望.

关键词: 氮化铟 , p型掺杂 , 铁磁性 , 薄膜制备

超细TiO2料浆的分散性研究及其薄膜制备

刘素文 , 许风秀 , 王彦敏 , 李秀华 , 李鹏 , 王美婷

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2004.04.009

本文研究了HN分散剂、稀土氧化物CeO2、超声处理工艺等对超细TiO2水系料浆分散性的影响.结果表明,通过加入0.25%HN分散剂和0.1%稀土CeO2,以及30分钟的超声处理,获得了平均颗粒尺寸约为100nm的高分散料浆,其粉末比表面积提高2.8倍.并且实验中还用分散处理得到的悬浮料浆成功地制备了TiO2薄膜.

关键词: TiO2超细粉 , 料浆分散 , 薄膜制备

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