吴桂芳
,
宋学萍
,
杨成浩
,
江兵
,
孙兆奇
功能材料
用直流溅射法在硅(111)基底上制备银膜,膜厚为380nm.用BGS6341型电子薄膜应力分布测试仪对膜应力随退火温度的变化进行了研究,结果表明:膜应力随着退火温度的升高而增大,在400℃退火温度下膜应力变化明显.用MXP18AHF型X射线衍射仪测量了膜的衍射谱,对膜微结构随退火温度的变化进行了讨论.制备的Ag膜仍为面心立方结构,呈多晶状态,平均晶粒尺寸为23.63nm,薄膜晶格常数(0.40805nm)比标准样品晶格常数(0.40862nm)稍小.
关键词:
溅射镀膜
,
退火温度
,
薄膜应力
,
微结构
丁宇婷
,
张晓锋
,
张晓雯
,
颜悦
航空材料学报
doi:10.3969/j.issn.1005-5053.2011.z1.029
采用常温下靶面进气的直流反应磁控溅射方法在柔性聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)基片上制备氧化钛薄膜,通过正交试验设计沉积工艺条件(溅射功率、Ar:O2、溅射气压和镀膜时间),分析各因素对薄膜应力水平的影响.研究表明,在试验范围内,溅射功率和镀膜时间对薄膜应力值的影响较为显著,而Ar:O2和溅射气压的影响相对较小.
关键词:
薄膜应力
,
直流反应磁控溅射
,
氧化钛薄膜
,
PMMA基底
冉春华
,
金义栋
,
祝闻
,
聂朝胤
材料导报
产生薄膜应力是在沉积薄膜过程中普遍存在的现象.薄膜应力的存在将影响薄膜的微观结构和性能,如薄膜的光学、力学等物理性能.同时影响到薄膜与基体材料的结合度以及基体材料的基本性能.主要总结了薄膜应力的产生机理、测试方法及其对薄膜结构和性能的影响,同时对薄膜应力的有效控制提出了展望.
关键词:
薄膜应力
,
薄膜结构
,
薄膜性能
严富学
,
白力静
,
殷鹏
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2010.02.009
采用磁控溅射离子镀技术制备了类石墨镀层(GLC),利用扫描电子显微镜(SEM)测量了镀层的厚度、X射线衍射仪(XRD)研究了材料的物相和应力,并结合透射电子显微镜(TEM)观察和分析了材料的组织结构.研究结果表明:不同偏压下得到的镀层结构相同,均为非晶为主的类石墨镀层,并且随着偏压增大,膜厚逐渐减小;在所研究的偏压下,应力变化规律是随着偏压的增加,样品与基体的复合应力先增大,后减小,其中-65V时达到最大值.
关键词:
GLC薄膜
,
薄膜应力
,
偏压
周小伟
,
李培咸
,
郝跃
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.06.010
采用脉冲法生长了200nm厚的AlN薄膜,其XRD摇摆曲线的半高宽为130aresec,表面粗糙度为2.021nm.以此AIN层为基板生长了不同Al组分的AlGaN薄膜,高分辨率XRD测试发现,随Al组分的增加,AlN基板层对AlGaN薄膜施加的压应力增大,同时,AlGaN薄膜在生长合并过程中产生的张应力也增大.在Al组分为0.67时,发现这两种应力处于一种平衡的状态,此时的AlGaN薄膜有最优的结晶质量.
关键词:
脉冲MOCVD法
,
AlGaN材料
,
薄膜应力
李健
,
M.Wuttig
金属学报
采用一种新的薄膜内耗仪观测Ni50Ti50薄膜样品的形变(薄膜形变造成薄膜与载膜硅片之间的界面应力)随温度或其它环境参量的变化．同步测量了薄膜的内耗、动态模量、薄膜应力以及Ni50Ti50薄膜的相变过程.
关键词:
内耗
,
null
,
null
